- 根据工艺先进性、营收能力、产能规模等各方面的整体性实力来看，TSMC与英特尔、三星位于前三名，被业界称为晶圆制造业的大联盟，并且成为IC制造业的领军企业。
而其他的半导体公司则像是在小联盟。小联盟的公司通常看大联盟的动向，大联盟推出什么，小联盟就跟进。
大联盟的三家各有长项。三星在存储器上领先；英特尔在晶体管的速度上领先；而TSMC在芯片的集成度与整体性上有优势，这包括布线宽度, 工艺全面性等指标。
同业也许声称其FinFET 3D的工艺尺寸比TSMC小，事实上大
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- “TSMC现在已有三座12英寸晶圆厂，下一步会是18英寸厂。从时间上来看，18英寸晶圆真正投入生产应该在2016年之后。”TSMC中国业务发展副总经理罗镇球称。
现在有三家公司（英特尔、TSMC、三星）投资ASML光刻设备的计划，因为在进入18英寸时会有很多的坎要过，包含设备、光学等。
目前看来10纳米的光刻工艺基本上只有两种选择，一个是EUV深紫外光，一个是Immersion浸润式光刻技术。Immersion技术是TSMC的研发人员开始研发的。
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- 2012年第四季度，TSMC的营收已经有22% 来自28纳米业务, 40 纳米的业务也约占22%。
TSMC计划在2013年1月实现20nm SoC工艺的小批量试产。预计2013年11月，16nm的FinFET 3D晶体管的工艺将开始试产。
资本支出方面，2012年TSMC是83亿美元，（注：TSMC 2012年营收171亿美元）；另外，研发投入超过13亿美元。据TSMC中国业务发展副总经理罗镇球介绍，TSMC对研发的支出约占营收的8%，如果再加上TSMC因研发需要而购
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- 据TSMC（台积电）中国业务发展副总经理罗镇球介绍，TSMC在中国的业务每年都在增加，2012年已达到TSMC营收的5%, 而且中国市场的增长在TSMC五个业务区块里是相对快的。
2012年已有十几家国内公司在TSMC 40纳米制程上批量生产，而且已经有了28纳米的产品。预计2013年TSMC在中国能赢得5个以上的28纳米客户产品。“2012年能够做出28纳米的产品，其实相当不容易，回想一下十年前，中国大概落后世界最先进的设计公司约两个世代，现在已经跟得非常近了。&rdquo
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- 今年台湾出口不佳，为了救出口，部分政府官员出面喊话，呼吁国人支持国货，并且多爱台湾厂商制造的手机。政府提振出口，协助产业的用心可以体会，但是这些呼吁也引发许多不同的观点：有人认为爱用国货以支持民族产业的年代已过去
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- 摘要： 文章阐述叠层片式微波电感器的工作原理，介绍其结构设计、材料选用和制造工艺以及它们对电感器性能的影响。还简要叙述了叠层片式微波电感器的应用领域。 1 引言
以蜂窝通信系统中的手机和便携式电脑为典型代
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- 集成传感器薄膜传感器厚膜传感器陶瓷传感器集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的
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- 太原富士康群殴骚乱引起广泛关注，同时对中国制造企业也敲响了警钟。表面上看，富士康骚乱是企业管理缺陷的又一次爆发，但深层思考，却是反映了我国制造企业所面临的窘境。
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- 传感器的发展和传感器制造的工艺有着密切的联系，在近现代的科技发展中，制造工艺的进步也促进了传感器制造业的进步。传感器在近现代主要的制造工艺有四种，分别是集成传感器、薄膜传感器、厚膜传感器和陶瓷传感器。
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介绍 分类 工艺 制造 传感器
- 前在商业上应用的玻璃基板，其主要厚度为0.7 mm及0.6m m，且即将迈入更薄(如0.4mm)厚度之制程。基本上，一片TFT- LCD面板需使用到二片玻璃基板，分别供作底层玻璃基板及彩色滤光片(COLOR FILteR)之底板使用。一般玻璃
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工艺 分析 制造 主要 芯片 简介 LED
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