- 近日，应用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系统用于世界上最先进晶体管的刻蚀。运用创新的高温技术，它能提供45纳米及更小技术节点上采用高K介电常数/金属栅极(HK/MG)的逻辑和存储器件工艺扩展所必需的材料刻蚀轮廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生产的解决方案。应用材料公司的Carina技术具有独一无二的表现，它能达到毫不妥协的关键刻蚀参数要求：平坦垂直，侧边轮廓不含任何硅材料凹陷，同时没有任何副产品残留物。 应用材料公司资深副总裁、硅系统业务
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- 8月6日消息， 日前，韩国三星电子公司宣布，之前因为停电而被迫停止运营的芯片生产线，在上周六回复工作，与此同时公司表示，最终造成的实际经济损失，有可能低于之前的预期数字。
据国外媒体报道，作为世界最大的内存芯片制造商，三星电子在上周五的时候，因为停电问题被迫停止了六条芯片生产线的工作。据公司估算，此次停电造成的损失将达到400亿韩元，折合4340万美元。据市场分析机构iSuppli透露，此次的停电，将继续加剧如今已经非常严重的NAND闪存芯片短缺，该现象爆发于8月上旬，据统计三星NAND生产线占
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- 据DigiTimes网站报道，韩国媒体Digital Daily与美国媒体Forbes报导，三星电子（Samsung Electronics）继2006年8月将80nm制程的1Gb DDR 2标准型DRAM进入量产阶段后，27日又发表了针对手机与移动设备推出的80nm制程DDR存储器芯片，容量为1Gb，厚度较前代产品薄20％，耗电量减少30％。三星预计将在2007年第二季量产该产品，并预计届时市场上对1Gb容量的手机存储器芯片需求量将大幅增加
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- 按照摩尔定律的说法，2006年初半导体制造业就已经进入了65nm时代。不过，令所有人始料不及的是65nm的普及远远非预期的那样迅猛，在很多领域似乎根本不去考虑65nm制程的问题，比如MCU，再如多媒体解码芯片。于是，我们看到的结果是本该广泛应用的65nm制程在全面投产18个月之后的应用领域只局限在少数几个领域，这其中一向走在消费前沿的CPU和存储是最火爆的领域，而FPGA则是另一个热衷于追逐65nm的拥趸。
当90n
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- 冲电气(OKI)推出内建运算放大器的紫外线(UV)传感器IC——ML8511。该产品运用绝缘上覆硅(SOI)-CMOS，为该公司首款模拟电压输出、无滤光器的UV传感器。OKI将从6月份开始陆续针对可携式等用途产品，提供新款UV传感器样品。 OKI的UV传感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技术，适合于数字及模拟电路。OKI表示，该公司未来将灵活运用这一特长，加强与连接微处理器的数字输出电路，进而与感测式亮度控制传感器(AmbientLightSensor)构成单一芯片的商品阵容；未来
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- 半导体制程微细化趋势1965年Intel创始人Moore提出“随着芯片电路复杂度提升，芯片数目必将增加，每一芯片成本将每年减少一半”的规律之后，半导体微细化制程技术日新月异，结构尺寸从微米推向深亚微米，进而迈入纳米时代。半导体制程微细化趋势也改变了产业的成本结构，10年前IC设计产业投入线路设计与掩膜制程的费用，仅占总体成本的13%，半导体生产制造成本约占87%。自2003年进入深亚微米制程后，IC线路设计及掩膜成本便大幅提升到62%。当芯片结构体尺寸小于100纳米时，光学光刻技术便面临技术关键：硅晶制程
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- 据日本经济新闻4月21日报道，东芝最快将在本会计年度开始采用43纳米制程生产闪存芯片，以降低生产成本。 东芝为全球第二大闪存芯片制造商，仅次于韩国三星电子。报道指出，由于芯片价格料在2007/08年度挫跌50%，因此该公司急于提高晶片生产效率。 日经新闻称，使用43纳米制程，将可使东芝生产成本降低40%。 报道称，三星电子计划今年开始采用50纳米制程。
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- 1. PCB制程上发生的问题千奇百怪, 而制程工程师往往担任起法医-验尸责任(不良成因分析与解决对策). 故发起此讨论题, 主要目的为以设备区逐一讨论分上包含人, 机, 物, 料, 条件上可能会导致产生的问题, 希望大家一起参与提出自己意见及看法. 2. 会使用到前处理设备的制程, 例如:内层前处理线, 电镀一铜前处理线, D/F, 防焊(阻焊)...等等. 3. 以硬板PCB 防焊(阻焊)前处理线为例(各厂商不同而有差异): 刷磨*2组->水洗->酸洗->水洗->冷风
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- 总部位于瑞士的DEK公司日前宣布推出适用于精密电化学燃料电池组件的高速生产制程，可让各种主要的燃料电池技术大幅节省每千瓦的耗电成本。该公司利用精密的批量挤压印刷技术，可以非常高的分辨率为电子厚膜、表面黏着和半导体装配应用提供高精度、高重复性和高良率的生产特性。 DEK指出，燃料电池技术无疑会在未来的能源应用中扮演更重要的角色。以高精度批量挤压印刷技术来生产燃料电池材料，将会加速此一新时代的来临。更重要的是，这些制程和设备都已相当成熟稳健，而且将从我们为提高商业应用
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- 随着终端产品朝向轻薄短小、低耗电和多功能整合三大趋势发展，无论对影像、声音、省电和体积小的质量要求愈来愈高，模拟制程技术主要推动力量在于分别就设计端和制程端来达成芯片的功能整合趋势－这包含了模拟效能、成本以及Time-to-Market的完美平衡。使得系统在快速可靠的功能（数字与模拟）执行下，同时满足社会对于系统变得更小、更快、更省电和价格更低的期望。 综观模拟IC对质量要求不外乎速度(Speed)、精准(Precision)、功
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- 意法半导体(ST)日前推出了20款3引脚微控制器复位IC STM18xx系列，这些电源监控器芯片是为大批量生产的成本敏感的微控制器应用专门设计，可直接插入取代工业标准的DS18xx系列产品以及类似的组件。 据介绍，该系列产品由8个基本复位电路组成：4个5V组件，每个组件有4.62V和4.37V (额定)阈压选项；4个3V组件，每个组件有3.06V、2.88V和2.55V(额定)阈压选项，总计20个产品。复位电路是电源电压监控制组件，被广泛用于监视微控制器电源电压，并在低于容许电压
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- 联华电子与欧洲最大的独立纳米电子研究中心IMEC今天宣布，将共同把IMEC旗下的Europractice IC服务扩展至联电90纳米制程技术上，Europractice客户将能轻易取得包含0.25、0.18、0.13微米与90纳米等来自联电的最先进技术，进行产品原型产出与小量生产。 联电表示，IMEC的Europractice IC服务，可提供客户ASIC服务，并协助其产品快速上市。联电多年以来一直与Europractice致力将联电硅梭计划--多重晶圆测试方案&
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- NVIDIA首批90nm制程绘图芯片已进入紧锣密鼓的量产阶段，面对ATI率先导入90nm制程的动作，并将在2006年1月底发表新旗舰产品R580，由于NVIDIA之前领先进入130nm制程、但吃到不少苦头，因而强调绘图芯片产品设计及结构比制程更为重要。 目前包括NVIDIA及ATI绘图芯片市场主力产品，皆采用110nm制程生产，在新一世代90奈米制程转换动作方面，ATI抢先一步在2005年第三季（3Q）宣布推出全线桌上型计算机（DT）绘图卡专用Radeon&nbs
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- 2005 年 9 月 21 日，北京讯――当前，英特尔公司正致力开发其高性能65 纳米（nm）逻辑制程的超低功耗版，以支持面向移动平台和小型设备的超低功耗芯片的生产。这种超低功耗制程将会是英特尔第二代基于65 纳米制造技术的芯片制程。
英特尔65 纳米（1 纳米是 1 米的十亿分之一）高性能制程较英特尔当前行业领先的 90 纳米制程在功耗和性能方面双双胜出。英特尔此种超低功耗65纳米的工艺制程为英特尔芯片设计人员提供了更多选择，以满足电控设备用户对于电路密度、性能及功耗的各种需求。
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TI 业界领先的 AR7 堪称全球最受好评的 DSL CPE 解决方案
日前，德州仪器 (TI) 宣布其近期在不断增长的小区网关 (RG) 市场上取得了辉煌业绩。截至第三季度末，TI 预计向市场提供的 DSL CPE 及 CO 端口数量将超过 1 亿，而且自其旗舰 RG 平台 AR7 片上调制解调器于 2003 年部署以来，其端口发货量已达 3 千万件。诸如 AVM、Actiontec、Arcadyan、Aztech Systems Ltd.、NETGEAR、Ne
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