- Crolles2联盟日前在京都举办的VLSI会议(VLSI Symposium)中发布的文件中，描述了针对新一代低成本、低功耗、高密度消费性电路的超小型制程选项－使用传统大量CMOS制程技术与45纳米设计规则，在量产条件下建构面积小于0.25平方微米的6晶体管结构SRAM单元。 Crolles2是由飞思卡尔半导体、飞利浦、意法半导体共同组成的联盟。其位于法国Crolles的300毫米试产线曾制造出1.5Mbit阵列。此次合作发布的文件再次展示
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纳米 IC 制造制程
- 6月6日消息，3日力晶12B晶圆厂正式启用，2000年时其第一座12英寸厂正式动土，董事长黄崇仁便许下诺言，未来投资我国台湾绝对不会因经济因素而有所改变，并承诺接下来每2年要再兴建1座全新12英寸厂，如今在12A及12B厂相继完工启用后，力晶为展现其深耕我国台湾的决心，未来将再投入约新台币2,000亿元（约合人民币530.2亿元）建造第三座及第四座12英寸厂，届时有高达95％比重用于投资我国台湾市场。 据港台
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力晶 IC 制造制程
- 英飞凌科技公司和南亚科技公司近日联合宣布，由英飞凌和南亚科技在英飞凌德国德累斯顿研发中心联合开发的90纳米DRAM技术成功通过认证。两家公司联合开发的90纳米内存产品获得了主要客户的认可，并通过了英特尔的验证。在英飞凌公司德累斯顿300mm晶圆生产线上，90纳米DRAM产品已经开始批量生产。作为全球第二个引进90纳米技术的DRAM制造商，英飞凌在5月底之前已经成功将其DRAM全球产量的5%从110纳米工艺转换成90纳米工艺。英飞凌和南亚科技的合资公司台湾华亚半导体公司现在已经开始向90纳米技术转型。提前采
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英飞凌 IC 制造制程
- 台积电再度呼吁政府尽快开放0.18微米制作工艺赴中国投资。台积电称，因当地客户产品已进入0.18微米，但倘若没有提供服务，台积电在中国市场将会居于劣势。 这是台积电首次明确表示中国客户已具备在0.18微米的制作工艺。台积电总经理蔡力行表示，0.18微米制作工艺的松江厂战略位置绝对重要，因为客户希望产品能在中国工厂生产，而不是要靠海外的产能支援。而且0.18微米制程已是成熟的技术，实在不需要再受到限制。 蔡力行还表示，台积
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台积电 IC 制造制程
- 台湾集成电路公司 (简称台积电) 董事长张忠谋表示，大陆半导体市场对0.18微米制程需求已经开始，台积电至今仍无法前往大陆进行相关布局，竞争力已受影响。 张忠谋表示，目前已有许多旗下客户及潜在客户反映，台积电在大陆无法进行生产，只能在其它台积电的竞争厂商下单生产，因此台积电的竞争力已受影响。 依台湾“政府”规范，目前半导体晶圆厂赴国内投资，仅开放拥有12吋晶圆厂业者，且12吋晶圆厂必须达经济规模，开放的规格以8吋晶圆
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台积电 IC 制造制程
- 无线通信IC制程技术发展探微 台湾省工研院经贸中心产业分析师 王英格 图1 2000-2005年全球半导体应用产品市场占有率变化 图2 无线通信IC制程技术发展历程 图3 预估2004年移动电话收发器市占率 图4 预估2004年移动电话功率放大器市占率（依制程区分）前言 半导体的应用可分为计算机、通信、消费类电子、工业、汽车、以及军事等市场，根据半导体产业协会与研究机构IC Insight等单位的统计，自2001年以后，计算机在半导体应用产品市场的占有率开始滑落至50%以下，反观通信与消费类电子产品的占
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IC 制造制程
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