新日本无线开发完成了设有旁通电路低噪声放大器

　　新日本无线开发完成了设有旁通电路低噪声放大器GaAs MMIC NJG1138HA8，并开始发放样品。该产品面向欧洲，最适用于900MHz频段W-CDMA模式手机。

　　【开发背景】

　　近年来，为了降低手机成本，RF-IC的CMOS化在不断地进步。以往的低噪声放大器内置于RF-IC内，但是CMOS工艺很难构成便宜又具有高线形性的低噪声放大器。所以有必要增加外部元件的低噪声放大器。因此，要通过CMOS工艺来降低成本，外部元件的高线形性的低噪声放大器是必要的。NJG1138HA8就是能满足这种要求的设有旁通电路低噪声放大器。用于900MHz频段W-CDMA模式手机终端。

　　【产品特征】

　　NJG1138HA8是由低噪声放大电路・旁通电路・控制用逻辑电路构成的低噪声放大器。具有内置高线形性・低消耗电流・ESD保护电路等特征，并且为防止离基地局较近地区发生的强磁场输入时所造成的放大器视失真，设置了不经过放大电路的旁通模式(Low gain模式)。

　　--　即实现了高线形性又低消耗电流　--

　　通过使用高性能HJ FET工艺，即实现了高线形性 (IIP3 0dBm typ.　@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz)和低消耗电流 (2.3mA typ.　@VCTL=1.8V)。

　　--　实现了高ESD(Electrostatic Discharge)静电耐压　--

　　内置保护元件，用HBM(Human Body Model)方法，实现了2000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)静电耐压

　　【其它】

　　・ 低控制电压

　　・ 超小超薄封装　USB6-A8(1.0mmx1.2mmx0.38mm typ.)

　　・ 符合无铅无卤化物标准