新闻中心

EEPW首页 > 模拟技术 > 新品快递 > ST推出250A功率MOSFET 提高电机驱动能效

ST推出250A功率MOSFET 提高电机驱动能效

作者:时间:2008-07-22来源:电子产品世界收藏

  日前推出一款250A表面贴装的功率,新产品拥有市场上最低的导通电阻,可以把功率转换损耗降至最低,并提高系统性能。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/86050.htm

  新产品V250N55F3是市场上首款整合 PowerSO-10™ 封装和引线带楔焊键合技术的功率,无裸晶片封装的电阻率极低。新产品采用的高密度STripFET III™ 制程,典型导通电阻仅为1.5毫欧。STripFET III更多优点包括:开关损耗低,抗雪崩性能强。除提高散热效率外,九线源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时,封装的额定功率为300W。

  新产品的高额定电流让工程师可以设计多个并联的,达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈压还有助于简化驱动电路的设计。STV250N55F3适用于高达55V的电力设备。

  高达175℃的工作温度使STV250N55F3适用于强电流电力牵引设备,如叉车、高尔夫球用车和电动托盘装卸车以及割草机、电动轮椅和电动自行车。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的雪崩测试,为可靠性和抗击穿性提供了有力的保障。新产品将很快达到汽车级产品质量标准。

  在同一个产品系列,ST还有一款型号为55V STV200N55F3的产品,该产品的额定漏极连续电流为200A,源极连线配置为4线。

  STV250N55F3样片即刻上市销售,预计2008年第三季度开始量产。

 



评论


相关推荐

技术专区

关闭