英飞凌推进DDR2 FB-DIMM部署推出ARM芯片

2005年8月26日在旧金山召开的英特尔开发商论坛（IDF）上，全球内存产品供应商英飞凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）宣布，该公司正在推出双数据速率2（DDR2）全缓冲内存模块（FB-DIMM）样品，英飞凌是业界唯一能设计和生产FB_DIMM所有关键部件的公司。容量在512MB到4GB之间的新型FB-DIMM，基于英飞凌出品的高级内存缓冲（AMB）芯片、DDR2 DRAM芯片及其自主开发的散热器。另外，英飞凌还为其他FB-DIMM生产商提供AMB逻辑芯片，并且已经将样品发给了第一批客户。

“新模块的优化生产需要三方面的创新：高容量高速DDR2 DRAM、 AMB芯片以及散热器（管理高内存容量与高速AMB芯片融合产生的热负荷），”英飞凌内存产品事业部计算业务部主管Michael Buckermann说，“从2006年起，这种技术将开始逐渐取代高端服务器系统中的寄存式DIMM产品，英飞凌对组件和模块生产的全面控制将为服务器生产商提供成熟的高质量产品，并实现顺利部署经过优化调整的FB-DIMM。”

FB-DIMM把现行寄存式DIMM的并行结构变成了串行点到点连接。这将消除新一代服务器内存容量增加与速度升级导致的吞吐量瓶颈。英飞凌设计生产的AMB，是一个高度复杂的逻辑芯片，它将控制点到点连接，第一代AMB能提供4.8Gbps的数据速率来实现与传输速度高达800Mbps 的DDR2 DRAM的直接高速链接。除了用于自有模块之外，英飞凌还为其他FB-DIMM生产商提供AMB芯片，从而推进新一代服务器内存的市场渗透。

作为FB-DIMM开发领域的先驱，英飞凌在2004年8月推出了业内第一款AMB测试芯片，并在2005年2月的IDF论坛上成功展示了DDR2平台上的系统启动。今天宣布的这代FB-DIMM将运用速度级别在553和667Mbps的DDR2 DRAM，今后将进一步提升到800 Mbps。

根据市场调查公司iSuppli最近的一份报告显示，在OEM服务器市场，FB-DIMM在2006年所占份额为16%（总数420万套），到2008年将增加到79%。

现在基于512Mbit、1Gbit DDR2 533和DDR2 667颗粒，容量分别为512MB、1GB、2GB 和 4GB的FB-DIMM样品现已推出。批量生产计划在2005年第四季度开始。

英飞凌推出的数据速率达4.8Gbps的AMB芯片采用665球高性能BGA封装。现在该产品也有样品提供。