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带有铁电随机存取存储器的高精度实时时钟所具备的优势

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作者:时间:2007-11-29来源:收藏

  1 概述

  随着系列产品的发布,Dallas Semi-conductor公司提供了无需电池的非易失。这些器件采用铁电()技术,是非易失,其读/写操作与RAM类似。该系列器件能够可靠地将数据保持10年之久,与EEPROM和其他非易失存储器不同的是:它不需要考虑系统复杂性、过度开销以及可靠性等问题。从1992年出现第一块至今,铁电随机存取存储技术已趋于成熟。

  2 非易失存储器

  目前,非易失存储技术主要有3种:电池备份的SRAM、EEPROM和闪存。FRAM的速度类似于传统SRAM;FRAM的操作类似于串行EEPROM,主要区别是FRAM具有更好的写操作特性和耐用性,能以I2C的速度对存储器进行读写操作。在写操作时,无需轮询器件确认就绪条件。表1给出了非易失存储技术的评定,评定等级1(最好)至4(最差)。

  

  3 FRAM相对于EEPROM的优势

  同等容量的EEPROM相比较,FRAM具有诸多优势:第一个优势是FRAM能够以总线速度执行写操作,且数据开始传输后没有任何写延时。另外,FRAM不采用页面写操作方式,用户可以简便地连续写入数据。数据传输时没有尺寸限制,无延时。必要时,系统可以采用突发模式对整个存储器阵列进行写操作。

  第二个优势是写操作耐久性,写次数高达100亿次。多数EEPROM的只写次数只能达到100万次。实际上可以认为FRAM没有写次数的限制,非常适用于数据采集。

  第三个优势是微功耗,有助于节省电能。FRAM采用铁电存储机制,可通过本地VCC支持写操作,EEPROM则只需一个电荷泵或升压电路。可见,FRAM电流消耗远远低于类似配置的EEPROM。

  4 带有FRAM的高精度RTC

  4.1 简介和内部结构

  DS32X35是一款温补时钟/日历器件,单个封装内集成了32.768 kHz晶体和非易失存储器。非易失存储器采用两种配置:2 048



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