CL 2.5水平低延迟DDR-2内存芯片即将量产

    DDR-2内存如我们预期地目前已开始调整售价并可在下半年取代DDR内存在市场的主流位置，不过DDR-2内存众所周知目前主要的问题也在于其高延迟性（CL 4/5）设计而大大影响了产品性能。如在同级的DDR与DDR-2内存对比当中DDR的性能肯定要高于DDR-2，但DDR-2未来始终还是会得益于其高工作频率设定可达成更高的内存带宽而将取代最高不过667MHz的DDR，无论如何DDR-2的高延迟特性如不能得到一定改良的话其性能表现始终是不能有太大的突破，而这个情况莫非要到DDR-3才能解决？

　　不过值得高兴的是据Cool Tech Zone日前的报道，某大型内存芯片厂商（三星？）目前正计划推出低延迟的DDR-2内存芯片，虽然目前据厂商方面的消息表示现在这些芯片最高还只能做到CL 2.5的水平（具体工作频率未明），但对比起Corsair目前CL 3的DDR-2 533和OCZ CL 4的DDR-2 800来说还是有一定突破的（多数厂商的超频DDR533内存也只能运行在CL 2.5下，DDR500或以下产品则可做到CL 2）。

　　略为遗憾的是CL 2.5的DDR-2内存芯片目前未知可于何时投入量产，也未知采用这些内存芯片的DDR-2内存何时能够投入市场，不过我们还是可以预期这会在一段不长的时间内发生。。当然类似的产品售价应该也不会太低，但作为DDR-2过渡到DDR-3前的“性能”型产品，新芯片应可为标准的DDR-2内存带来更高的性能，而更高频率的超频DDR-2内存产品（DDR-2 1066/1333？）应也可借此达成。