IDT推出最新先进存储器缓冲器(AMB) 样品

通信集成电路供应商IDT公司（Integrated Device Technology, Inc）今天宣布推出最新先进存储器缓冲器(AMB) 样品，服务于多种全缓冲双插线存储器模块（FB-DIMM）的生产商。这个新产品完全兼容JEDEC的AMB标准，是下一代高带宽应用产品的必备技术，比如服务器和工作站，这些设备都要求更高的性能和大型的存储容量。

FB-DIMM信道架构的一个关键功能就是在信道中的存储控制器和模块之间实现高速度、串行、点对点的连接。每个FB-DIMM上的AMB芯片负责收集和分配来自DIMM 的数据，在芯片上进行内部数据缓冲，并将数据转发至下一个DIMM或者存储控制器。这种独特的信道结构减少了在带寄存器的DIMM技术中很常见的缓冲时延问题，能够使设计人员在单一的系统中应用大量的DIMM。

IDT DIMM 支持产品组营销总监Tom Kao表示：“IDT延续了在DIMM市场上的领导地位和郑重承诺。此次我们推出的AMB产品，证明了我们在新兴的FB-DIMM标准下实现服务器处理功能新进展的强烈愿望。我们很高兴能够在业界厂商中领先推出AMB产品的样品，我们期待着帮助客户解决关于DIMM不断出现的重大挑战。”

英特尔公司的企业平台部计划营销总监Jim Pappas表示：“FB-DIMM提供了卓越的机会，同步增强服务器和工作站的速度和存储能力，从而提高其数据处理能力。FB-DIMM具有真正的潜力，将成为2006年乃至以后相当重要的新型服务器和工作站技术。包括IDT在内的很多公司正在推出基于FB-DIMM的产品，协助客户实现创新型和高性能的存储技术带来的益处。”

产品供应
IDT AMB 产品现在可以提供样品，2005年上半年可以批量生产。