COOLiRFETTM 5x6mm PQFN平台提供了高效率、高功率密度并降低了系统成本

　　多个MOSFET供应商都采用铜夹，将晶片上的源区域与引脚连接。铜夹可以降低寄生电阻和电感，并可以保持良好的电流处理性能。然而，铜夹却是一种相对昂贵的解决方案——它要求额外的芯片处理以增加可焊接前端金属(SFM)层，并且需要根据每个硅片尺寸，来确定所需的铜夹尺寸，这就增加了封装工具的成本。

　　国际整流器公司(IR)推出了汽车级PQFN，利用铝带键合实现源极互连。下面的图2总结了铝带联结的主要优势——单独带上的大的横截面可以提供大电流处理性能，并具有出色的可靠性，特别是在温度循环可靠性测试中。例如，一个单独的80mil x 6mil铝带可以实现与6个10mil键合线相同的性能。

　　与传统的接线方法相比，带状键合的方法仍然可以保持相似的低成本架构，同时，能够将无晶片封装电阻(DFPR)降低0.7 mΩ之多，如图3所示。这表示，3-mΩ MOSFET的总RDS(ON) 改善了20%以上。换句话说，带状键合技术可以保持低成本和制造灵活性，还能实现铜片的基准性能。

　　3 5x6mm PQFN封装，在延长引线上采用镀锡层，形成了可检焊点

　　对于汽车工艺与制造工程师而言，电源封装选择方面的一个重要要求就是自动光学检测(AOI)能力。这样，在PQFN封装被焊接到PCB上时，用户的系统就能够识别可见焊点。IR PQFN设计有延长引线—引线头伸出封装主体外0.15 mm—因此其可焊性比锯齿状PQFN封装更好。

　　此外，如图4左侧所示，封装底面全都镀有雾锡，通过在装配过程中引入一个额外的步骤，至少一半的引线头也镀有锡，从而确保形成好的焊接圆角。这样就能够形成可检焊点(ISJ)。回流焊之后，焊接圆角可以在PCB上看出，如图3右侧所示。这些可以利用传统的光学检测系统检查，无需价格高昂的X光检查步骤。请注意，焊接圆角的尺寸和形状取决于回流曲线、焊膏、模板开口、PCB板布局等。

　　4 COOLiRFET™ PQFN的主要应用

　　国际整流器公司的COOLiRFET 5 x 6mm PQFN平台结合了公司的新型基准RDS(ON) 40V汽车COOLiRFET硅片技术，适于各种12V传统电池应用。例如，采用PQFN封装的新型40V、3.3mΩ单晶片AUIRFN8403TR非常适于三相电机控制应用，例如转向、燃料泵和水泵。另一方面，PQFN封装的双晶片版本非常适于H桥应用，例如车窗升降机。与需要4个器件才能形成H桥的DPAK封装相比，双晶片PQFN仅需2个器件即可完成工作，因而比DPAK解决方案更节约成本和空间。40V、5.9mΩ/通道、双晶片PQFN AUIRFN8459TR代表着汽车行业的基准RDS(ON)性能。

　　5 结论

　　在汽车电子行业功率密度的确是一个重要的词语。目前，硅片技术已经非常成熟，而半导体技术依赖两个主要的领域来提升系统的功率密度——通过新材料的创新，或者通过新型功率封装，如5x6带联结PQFN——它提供了高效率，高功率密度并降低了系统成本，并且是面向系统功程师和MOSFET开拓者的基准封装。