2028年自研7nm光刻机！俄罗斯真有这个能耐？

2028年实现光刻机自研，可支持7nm芯片制造！俄罗斯真有这个能耐？

在芯片规则不断的升级之下，各个国家不再相信基于美技术体系的国际产业链，而中、俄是产业被限制最严重的国家，因此在技术的自研上反应也是最强烈的，在中企相继传出好消息之后，俄科学院也官宣了好消息。

根据海外传来的消息，俄科学院IPF RAS已经全力参与光刻设备的研发，后续将会有整套的半导体设备诞生，并且其还高调宣称：“自研的光刻机将在2028年商用，并且可用于7nm左右的芯片量产！”

这就让人纳闷了，目前俄国依靠自主化的产业链，就连90nm工艺都无法完成，此前更是宣称实现28nm工艺，也要等到2023年，如今却宣称2028年就能实现7nm工艺了，这真的有可能吗？

俄半导体产业的现状

在当前的特殊形势之下，俄半导体的现状要比中国更加严峻，在芯片规则的不断升级之下，苹果、高通、AMD、英特尔、台积电、三星等等企业相继断供，可以说整个国家的芯片供应渠道都被切断了，俄科学院只能紧急启动了自研计划。

在早前俄罗斯曾公布了一项计划，预计会在2022年底完成90nm芯片的自主化，在2023年实现28nm芯片自研自产，但显然这样的预估过于保守了，从技术角度上来讲，利用8年时间实现这个目标难度不大。

俄罗斯科学院也并非浪得虚名，在很多的顶尖技术上都曾和老美掰过手腕，就拿航天航空技术来讲，国际很多国家的卫星发射都要依赖于俄罗斯，但可惜进入到21实际之后，国家整体经济萧条，没有那么多的资金用于科研项目，才导致如今的困局出现。

如果没有外来的芯片进入，俄罗斯满打满算仅能制造出65nm的芯片，并且这还要依赖于海外的半导体设备才能实现的，因此可以说目前的形势相当严峻，而光刻机是核心的芯片制造设备，自然是首要攻克的目标。

根据俄科学院IPF RAS的介绍，他们将会利用6年的时间制造出工业原型，首台alpha 机器将会在2024年诞生，其也透露初期阶段的工作，主要是完善系统的全面性，重心并不在于设备上的突破。

到了2026年新研发的Beta将实现对于alpha的替代，到达这个阶段所有的系统都差不多整备完毕了，基本上许多的操作流程都能实现自动化了，届时在分辨率和生产力上也将得到很大的提升，这个阶段就可以实现设备的融合调试，将集成运用到实际技术操作流程中。

最后就到了最为关键的光源融入阶段，这也是光刻机最为核心的技术，好在俄罗斯在X射线光源技术上，有着完全自主可控的技术，此前也证实了相应的可行性，在进行改良升级之后，一整套的光刻机就能够正常投入使用了！

俄科学院能成功吗？

在面临全面制裁之后，俄国内的芯片极度短缺，所有的芯片圆晶厂都停止了供应，虽然本土对制程工艺要求不高，但面对仅能实现的65nm制程工艺，针对现阶段的工艺水平确实不够看，俄科学院也加大的对人才的培养，试图摆脱这样的困境。

俄罗斯科学院院士也表态：“ASML近20年来追求的是生产效率，EUV曝光机很好的帮助全球半导体厂商实现了技术精进，但目前的俄罗斯并不需要太先进的工艺，根据自己实际需求跟进就好！”

但在这样的消息传出之后，海外媒体没有一家看好俄罗斯，都认为这样的计划不可能实现，毕竟此前没有任何的技术基础，6年时间完成7nm芯片光刻机的突破，显然是有点不切实际了，就连ASML都用了将近20余年的时间。

而中国参与光刻机的研发，也已经有很长一段时间了，至今还未能达到28nm的水平，因此基本上是不可能的，况且光有光刻机还不够，还需要需要配套设备，以目前俄罗斯的状态，想要从国际供应链获取根本不可能。

而且除了有设备之外，还需要晶圆厂的配合，目前俄罗斯本土并没有这样的企业，因此按照此前2030年实现28nm芯片自主化，相对而言还是比较符合实际现状的。

俄科学院下诺夫哥罗德代表团所演示的光刻设备，目前还只是设备的原型，可以说还处于“PPT”阶段，后续还要进行开发、制造以及安装，并没有想象中的那么简单，对此你们是怎么看的呢？