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GaN材料的优势和EPC的技术产品

作者:迎九时间:2019-08-20来源:电子产品世界收藏

EPC(宜普电源转换公司)是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,率先推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管。近日,电子产品世界的记者访问了EPC公司的相关负责人,请他们介绍了GaN材料的优势及EPC产品。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201908/403915.htm

问:与当下常用的Si MOSFET功率器件相比,GaN器件具有哪些优于MOSFET 的特殊材料特点?

答:与MOSFET和IGBT相比,硅基氮化镓(GaN)晶体管具更快速的开关速度,约比前者快10倍,比后者快约100倍。这种高频特性,使其可用于许多新的应用中,如4G/LTE基站的RF包络跟踪技术、自功驾驶汽车、机器人、无人机、安保系统及无线电源应用的激光雷达系统。

此外,与硅MOSFET相比,氮化镓晶体管在体积上要小得多,约比硅MOSFET小5至10倍。这样,设计人员就可以显著地提高其设计的功率密度。

使用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)和集成电路,设计人员可降低传导损耗、开关损耗、电容损耗,还可降低驱动功率,减小器件的体积和降低成本。采用基于氮化镓材料的器件,可提高产品的性能及降低成本,这一切都意味现在该是创新功率设计师采用GaN器件的时候了。

问:贵司的GaN器件及技术的市场前景如何?

答:利用GaN优异性能的应用继续扩展,同时,GaN用户的知识基础不断拓宽。目前,全球我们已经可以看到,GaN使能的自动驾驶汽车行驶在路上。氮化镓场效应晶体管和集成电路大大改善了面向高速、节能的包络跟踪供电的数字通信。此外,大面积无线电源的出现,无线世界的梦想可进一步得以实现。

此外,在EPC最新一代场效应晶体管和新型集成电路跑赢大市的背景下,GaN技术继续发展,同时,该技术在成本上与硅基产品相约。产品具备优异的性能并加上其极具竞争能力的定价,激励传统上保守的设计工程师开始在不同的应用中使用GaN器件,包括DC-DC转换器AC-DC转换器及自动驾驶汽车等应用。目前的趋势已经看到,新型48 VIN  DC/DC供电(隔离型和非隔离型)在高端计算和自动驾驶汽车应用采用了EPC最新的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。

氮化镓器件可以大大提升电源转换系统的性能,是基于它的优势——它在相同的衬底上可以同时集成功率级和信号级器件。在过去的数年间,EPC(宜普公司)努力不懈地开发出客户专用的GaN集成电路。当推出更复杂的基于单片GaN集成电路的解决方案后,其电路性能比硅基解决方案更为优越,而且对于电源系统工程师来说,采用氮化镓场效应晶体管,更容易完善其设计。



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