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2019年中国功率半导体市场规模逾人民币2,900亿元

作者:时间:2019-03-15来源:TrendForce收藏
编者按:TrendForce在最新《中国半导体产业深度分析报告》指出,受益新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币,其中离散式元件市场规模为1,874亿元人民币,较2017年成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币,较2017年增长8%。

  TrendForce在最新《中国半导体产业深度分析报告》指出,受益新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、等多种产品持续缺货和涨价,带动2018年中国市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币,其中离散式元件市场规模为1,874亿元人民币,较2017年成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币,较2017年增长8%。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201903/398523.htm

  TrendForce分析师谢瑞峰指出,作为需求驱动型的产业,2019年景气仍然持续向上,虽然仍有贸易战等不利因素影响,但在需求驱动下受影响程度要小于其他IC产品,TrendForce预估,2019年中国市场规模将达到2,907亿元人民币,较2018年成长12.17%,维持双位数的成长表现。

  受益于中国国产替代的政策推动和缺货涨价的状况,2018年多家中国本土功率半导体厂商取得亮眼的成绩,并扩大布局脚步。其中,比亚迪微电子凭藉拥有终端的优势,在车用市场快速崛起,取得中?车用市场超过两成的市占率,一跃成为销售额位于中国前三的IGBT供应商;MOSFET厂商华微电子和扬杰科技营收大增,并且逐渐导入IGBT市场。

  另外,有新建与规划IGBT产线的厂商包含士兰微厦门12寸特色工艺产线、华润微电子在重庆建设的12寸特色工艺产线,以及积塔半导体专业汽车级IGBT产线等。同时,多家厂商也投入研发SiC等新材料技术领域,基本半导体的SiCMOSFET已进入量产上市,而定位为代工的三安光电SiC产线也已开始接单、比亚迪微电子也已研发成功SiCMOSFET,其目标是到2023年实现SiCMOSFET对矽基IGBT的全面替代。

  展望2019年,从终端需求来看,新能源汽车仍然为中国功率半导体市场最大需求来源,根据TrendForce资料显示,2019年中国新能源车产量预估为150万辆,较前一年成长45%,其ADAS系统、电控以及充电桩的需求将带动功率元件市场规模约270亿元。

  同时,5G建设所需的基站设备及其普及后带来物联网、云端运算的快速发展,将对功率半导体产生长期大量需求,另外,工业自动化规划持续推进,与之相关的电源、控制、驱动电路将持续推升功率半导体的采购。

  从供应端来看,2019年虽然有3-5条功率产线将进入量产,但根据TrendForce预计,2019年前三季度功率元件产品缺货情况恐难有明显好转,多家厂商的产品价格预期仍将上涨。从厂商的技术发展来看,SiCMOSFET有望进一步提高在车用领域对矽基IGBT的替代率,矽基IGBT则有望向更低功耗、更高效率的方向继续发展。



关键词: 功率半导体 IGBT

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