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详解Flash存储器闪存工作原理及具体步骤

作者:时间:2018-08-07来源:网络收藏

什么是?了解最好的方式就是从它的“出生”它的“组成”均研究的透彻底底的。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201808/385602.htm

的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力。


与场效应管一样,闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应,电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层,对浮置栅极进行充电 (写数据)或放电(擦除数据)。而NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应(电流从浮置栅极到硅基层),但在写入数据时则是采用热电子注入方式(电流从浮置栅极到源极)。

场效应管工作原理

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

闪存采用MOSFET来存放数据

MOSFET结构如下图


数据就存放在floaTIng gate(悬浮门)之中,一个门可以存放1bit数据

如图所示,门中电压有个阈值Vth

如果检测到电压超过Vth,那么便认为这个bit是0

数据的写入和擦除,都通过controlgate来完成。

至于具体的步骤。

涉及到半导体基础知识,如果需要了解,请参考模拟电路相关书籍。

这是一个比特,对于闪存来说,如图


这是一个闪存颗粒的内部结构,每一行是其中一个page,一个page由33792个刚才那样的门组成。

共4KByte,注意这里单位是千字节1Byte=8bit 这里总共有64个page,组成了一个block。

wordline是字线,由其控制读取和写入,所以page是最小的读写单位 而这个block是最小的擦除单位。

我们知道闪存颗粒分为SLC MLC TLC 这就是因为对电压的分级不同。

SLC将电压分为2级,大于Vth表示0小于Vth表示1,一个CELL只表示1个bit MLC是MulTI-Level Cell,将电压分为4份,分别可以表示00 01 10 11,一个CELL表示2个bit TLC是Triple-Level Cell,将电压分为8份,可以表示000 001 010 011 100 101 110 111 一个CELL表示3个bit。



关键词: Flash存储器 闪存

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