国家存储器基地一期提前封顶 年产值可达100亿美元

　　9月28日消息，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房，实现提前封顶。

　　赵伟国表示，存储器基地项目是中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破，相当于中国科技领域的辽宁号航空母舰出海试航。该项目实现提前封顶，这是为不辱使命、坚定不移推进国家战略所必须要做到的。客观地说，我们在核心技术和产品结构上仍然与世界一流水平存在差距，实现追赶超越的目标绝非一朝一夕，需要坚定的战略定力和耐力，以及矢志不渝的长期投入;而另一方面，从现在开始到未来的5-10年，也正是中国集成电路产业发展的最佳窗口期。既然选择了存储芯片作为切入点和突破口，紫光集团和长江存储就一定要抓住机遇，直面挑战，知难而上，通过超常规的投入缩短发展周期，迅速登上全球存储行业的竞争舞台。

　　据悉，国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，项目一期规划投资240亿美元，占地面积1968亩，于2016年12月30日正式开工建设，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash生产厂房，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。

　　此次提前封顶的项目(一期)一号生产及动力厂房建筑面积达52.4万㎡，预计将于2018年投入使用。项目(一期)达产后，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。