NAND闪存市场持续高涨，NAND闪存市场持续高涨，2020年将超DRAM

NAND Flash产业链的下游市场

　　随着这些变化，除了主要的Flash原厂以外，其他厂商也在各自的领域提升自己的技术和产品，以应对快速增加的市场与变化(如图7)。

　　在中国企业方面，在制造端的产业链也在发展(如图8)，除了之前提到的长江存储(YMTC)外，独立的主控厂商有硅格、国科、华澜等。此外，华为、中兴等公司也针对自己的产品推出了存储产品解决方案，品牌模组有江波龙(longsys)、记忆科技等。前不久江波龙公司收购了美光旗下的雷克沙(Lexar)品牌，以进一步拓展海外市场。

　　在应用端产品方面，中国的互联网巨头以及终端制造巨头也已进入全球主要阵营。2017年中国消耗了全球NAND Flash 30%的产能，到2020年预计将消耗全球40%的产能，将成为全球最大的市场。未来更多的国际巨头针对中国市场也会投入更多的资源。对中国市场来说，这些既是机遇，也是挑战。

　　此外，我国政府也积极推进大数据平台和信息安全的建设，加上大型互联网和电子制造的本土化采购和本地技术支持，中国在存储产业链的建设也逐步加强，例如武汉的国家存储器基地、南京的半导体产业基地等。

　　随着产业的发展、需求的提升，未来品质会成为行业不可忽视的一个问题，对此闪存市场公司也设立了品质分析中心。

　　中国闪存市场公司将通过专业的设备，测试项目以及专业的测试人员，为市场提供品质分析服务。

　　目前闪存市场公司正从价格基准向品质基准延伸(如图9)。

部分NAND Flash原厂动态

　　*三星NAND Marketing副总裁Kenny Han：数据存储在加速增长(如图10)。移动和PC/服务器是NAND Flash应用的两个主要领域。2017年NAND Flash的需求量是214EB，到2021年将达到600EB。而在这些数据中，2021年预计超过50%的移动应用以及超过30%的PC/服务器需求来自中国。

　　2013年三星首次发布3D V-NAND堆叠技术。到如今，已经发展到第四代。2017年三星量产第四代的V-NAND，64叠层，512Gb单Die(裸片)。第五代产品3D-V5也会在不久的将来面世，单Die容量达到1Tb，I/O速度达到1200Mbps。

　　*英特尔中国区非易失存储器事业部总经理刘钢：在数据存储方面，在内存DRAM和闪存NAND之间存在一个巨大的鸿沟。这就是内存容量太小，闪存又太慢。基于3D Xpoint的新型存储正好填补这个鸿沟。从时延看，3D Xpoint比DRAM慢一个数量级，容量比DRAM高一个数量级，比NAND Flash时延的角度快了1000倍左右，而容量和NAND Flash是类似的(如图11)。所以3D Xpoint可以满足很多热数据的需求。

　　英特尔的OPtane(傲腾)是用3D XPoint的最终产品，它使用3D Xpoint介质和英特尔新的存储控制器、IP和英特尔软件。傲腾可以用于数据中心、消费PC中，实现游戏、事务处理仿真和人工智能等热数据处理。

　　*美光副总裁Jonathan Shaw：美光第一代3D NAND是32层，从32GB开始做起。现在也可以实现64层堆叠，提升到64GB(如图12)。64GB可以用于企业级，因为存储容量更大，2017年年底会看到其需求量非常大。下一代的QLC价格会降低，同时它的密度会升高，美光会保持QLC的出货量。

　　关于SSD市场，首先HDD市场正在萎缩，美光将会在2017年通过基于3D TLC的SSD来取代企业级HDD。

　　参考文献：

　　[1]邢雁宁.中国半导体存储器市场前景.电子产品世界,2016(7):4-7

　　[2]郭祚荣. 2016年全球DRAM市场与趋势分析.电子产品世界,2016(8):3-5

　　[3]王莹.车用存储器市场分析.电子产品世界,2017(4):3-8

　　[4]王莹,王金旺.车联网与自动驾驶关键技术问题.电子产品世界,2017(5):20-22

　　[5]解冬,刘敏.基于SATA2.0的高速存储系统设计实现.电子产品世界,2016(7):39-42

　　[6]任华锋,高传发,孙振华.一种基于PCIe固态硬盘存储系统的设计和实现.电子产品世界,2016(4):64-66

　　本文来源于《电子产品世界》2017年第10期第6页，欢迎您写论文时引用，并注明出处。