全球3D NAND大军技术对决 下半年产出可望大增

　　2017年将是3DNANDFlash应用市场快速崛起的关键年，包括三星电子(SamsungElectronics)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)等陆续推出具竞争力的64层3DNANDFlash加入竞局，SK海力士(SKHynix)更一举跳到72层3DNANDFlash技术以求突围，由于新旧技术转换，良率仍不稳定，加上固态硬碟(SSD)需求起飞，造成NANDFlash市场大缺货，业者预期2017年下半产出可望大增，全面开启3DNANDFlash时代。三星在2016年底宣布量产64层3DNAND技术，在整体市场竞局持续技术领先地位，但从2D技术转换到3DNAND过程中，面临2D产品投片量减少，3DNAND初期良率又不稳定，让整个NANDFlash市场缺货问题更严重，业者预期三星64层3DNAND会在5、6月开始放量生产，可望纾解市场吃紧状况。

　　三星2017年3DNAND投资规模将高于先前计划，三星平泽半导体厂预计最快6月完工，7月有机会正式投产，并进一步扩大增设3DNAND生产线，三星2017年在半导体投资额将创下史上新高纪录，上看176亿美元。三星过去在DRAM市场大举投资的成功经验，可能运用在NANDFlash技术与产能，借以拉大与竞争对手差距。

　　美光原本是生产32层3DNAND产品，之后跳过48层技术，直接投入研发生产64层3DNAND产品，预计2017年第2季开始量产，提供42GB和64GB产品，下半年出货可望放量，2018年更计划推出128GB产品，希望同时抢攻消费性SSD和企业SSD两大应用市场。

　　半导体业者表示，NANDFlash技术微缩逐渐面临瓶颈，全球存储器大厂纷纷从2DNAND技术转到堆叠式3DNAND技术，以持续追求成本降低，美光第一代32层3DNAND相较于16纳米制程2DNAND技术，成本至少减少25%，而第二代64层3DNAND技术的成本可再减少30%，美光计划第2季量产64层3DNAND产品。

　　SK海力士原本生产36层和48层3DNAND产品，为能在3DNAND市场攻城略地，SK海力士跳过三星、美光、东芝竞逐的64层产品技术领域，直接跳到72层3DNAND技术，推出容量高达256Gb的第四代72层3DNAND产品，预计2017年下半进入量产，全力超越竞争对手所推出的64层3DNAND产品。

　　目前NANDFlash市场除了供给端遭逢新旧技术交接、良率不稳定，导致供给量减少，在终端市场更适逢固态硬碟需求大爆发，由于遇上NANDFlash晶片缺货，近期部分下游厂商反应很多大陆系统厂接获智能型手机标案，但缺少足够的存储器可以出货，通路端甚至把128GBSSD降到96GB容量，以因应整体市场供给吃紧情况。

　　现阶段三星仍稳居全球固态硬碟市场龙头，其次是存储器模组大厂金士顿(Kingston)，至于美光、新帝(SanDisk)、东芝、创见等紧跟在后，分食全球固态硬碟市场大饼。

　　随着各大NANDFlash阵营纷纷转进具竞争力的64层和72层3DNAND技术，减少2DNAND生产，业者预计2017年第4季3DNAND总产出将超越2DNAND产品，成为整个NANDFlash市场主力，2017年3DNAND时代正式来临，并在2018年进入96层技术世代。