索尼再现黑科技:将DRAM集成到CMOS传感器

　　索尼这几年的手机之路走得并不平坦，不过没有随波逐流，渐渐变得默默无闻。作为黑科技的代名词，索尼在半导体上的造诣可不是一般的强大。可能很多人会觉得索尼没听说在半导体上有哪些重大贡献，但是如果索尼的半导体工厂停工，因为全球的手机CMOS大部分来自索尼。

　　索尼XZ Prumium

　　索尼镜头

　　索尼展示技术

　　在今年的MWC上，索尼除了带来全新的智能手机之外，他们还带来了全新的三层堆叠式CMOS传感器。据索尼官方介绍，三层堆叠式CMOS传感器是在像素层和信号处理电路之间加入一层DRAM缓存，这一层高速缓存可以突破传统CMOS在图像处速度的瓶颈，将更多的图像信息存放在缓存当中，然后再由图像处理器处理生成图片。索尼介绍称，三层堆叠式CMOS传感器能够连续读取120张193万像素的静态图片(比之前提高了4倍)，或者以960fps/1000fps的帧率拍摄1080p视频(比普通传感器提升了8倍)，实现真正的超级慢动作回放。

　　索尼Xperia XZ

　　在CMOS 中加入DRAM缓存，可以提升CMOS的拍照质素和效果，甚至在食品方面都有长足进步，手机拍照、视频功能也更为强大。不过现在依旧处于早期阶段，要真正应用到手机还需要相当长的时间。