中国存储器“3+1”版图初现

　　对中国大陆来说，今年可算是真正意义上的存储器元年。武汉存储器基地项目启动，与联电合作的晋华集成电路项目落户福建泉州晋江市，还有明确要做存储器的合肥市和紫光。三个地方加一个企业牵头的“3+1”存储器版图已初现端倪。

　　此前，中国还未有任何一家企业在存储器主流市场中占据过一席之地。面对一个动辄上百亿元巨额投资、由寡头垄断的产业，让人不由得思考：这种多方并进、多点齐投的发展模式是不是合理?各方选择的路径显然都不是坦途，最后哪条才能走进存储器的明天?

　　新进入者

　　要创造不可能的可能

　　在这个寡头割据的市场中，完全没有给新进入者留下太多发展的余地。

　　“现实世界中应当不会有新加入者了，因为它无法实现规模经济，不可能加入进来持续亏钱。”Bernstein分析师Mark Newman告诉《中国电子报》记者。

　　Mark Newman指出，新进入者通常在起步时就要落后同行业至少3年，在供需平衡的情况下，新进入者一年可能要面临60%左右的亏损;而在产能过剩的情况下，新进入者的亏损很可能达到百分之几百。

　　参考过去十几年的经验，这个市场并不是没有新进入者。

　　中国台湾地区曾在2001年至2010年间以400亿美元的大手笔投资大幅挺进存储器市场，最多的时候能够占据存储器总市场份额的20%。但最终结果惨淡，市场并不欢迎这个新玩家，目前中国台湾存储器只剩下4%的市场份额。

　　这一次，决心晋身存储器玩家的是中国大陆。

　　从 2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》特别指出要发展新兴存储等关键芯片产业，到工信部印发的贯彻落实《国务院关于积极推进“互联网+”行动的指导 意见》行动计划(2015-2018年)中提出到2018年在海量存储系统领域取得重大突破，毫无疑问，面对常年“缺芯”的窘境，市场总额超过800亿美 元、却几乎100%依赖进口的存储器已经上升到国家意志的高度，发展刻不容缓。

　　中科院微电子所研究员霍宗亮告诉《中国电子报》记者，对新 进入的中国玩家，想切入DRAM和NAND闪存领域存有一线可能。DRAM制程工艺已快遇到物理上的极限，更新换代越来越慢，技术难度越来越大，在这样的 情况下，国外厂家有可能跟中国新进入者共同研发或技术转移，但利润很薄，前景堪忧。

　　他指出，闪存则开始走进3D NAND新兴技术，该技术可以向下延展到更多的技术节点，比如32层、48层、64层、96层……在设备成本差别不大的情况下，中国新进入者只要完成前期的技术开发，后续的进展有可能加速。