开关电源MOSFET驱动电路介绍及分析
如图6（a）所示，V1、V2为互补工作，电容C起隔离直流的作用，T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。导通时隔离变压器上的电压为（1－D）Ui、关断时为DUi，若主功率管S可靠导通电压为12V，则隔离变压器原副边匝比N1/N2为12/（1－D）/Ui。为保证导通期间GS电压稳定C值可稍取大些。实验波形见图7（a）。该电路具有以下优点：
①电路结构较简单可靠，具有电气隔离作用。当脉宽变化时，驱动的关断能力不会随着变化。
②该电路只需一个电源，即为单电源工作。隔直电容C的作用可以在关断所驱动的管子时提供一个负压，从而加速了功率管的关断，且有较高的抗干扰能力。
表1不同占空比时toff的变化情况
但该电路所存在的一个较大缺点是输出电压的幅值会随着占空比的变化而变化。当D较小时，负向电压小， 该电路的抗干扰性变差，且正向电压较高，应该注意使其幅值不超过MOSFET栅极的允许电压。当D大于0.5时驱动电压正向电压小于其负向电压，此时应该注意使其负电压值不超过MOSFET栅极的允许电压。所以该电路比较适用于占空比固定或占空比变化范围不大以及占空比小于0.5的场合。
6（b）为占空比大于0.5时适用的驱动电路，其中Z2为稳压二极管，此时副边绕组负电压值较大，Z2的稳压值为所需的负向电压值，超过部分电压降在电容C2上，其实验波形见图7（b）。
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