开关电源MOSFET驱动电路介绍及分析

　　该驱动电路的缺点是需要双电源，且由于R的取值不能过大，否则会使V1深度饱和，影响关断速度，所以R上会有一定的损耗。

　　还有一种与其相类似的电路如图2（b）所示，改进之处在于它只需要单电源。其产生的负压由5.2V的稳压管提供。同时PNP管换成NPN管。在该电路中的两个MOSFET中，上管的发热情况要比下管较轻，其工作原理同上面分析的驱动电路，故不再赘述。

　　隔离的驱动电路

　　（1）正激式驱动电路

　　电路原理图如图3（a）所示，N3为去磁绕组，S2为所驱动的功率管。R2为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。因变压器漏感较小，且从速度方面考虑，一般R2较小，故在分析中忽略不计。其工作波形分为两种情况，一种为去磁绕组导通的情况，见图4（a）;一种为去磁绕组不导通的情况，见图4（b）。

　　等值电路图如图3（b）所示，脉冲变压器的副边并联—电阻R1，它做为正激式变换器的假负载，用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通，见图5。同时它还可作为功率MOSFET关断时的能量泄放回路。该驱动电路的导通速度主要与被驱动的S2栅、 源极等效输入电容的大小、S1的驱动信号的速度以及S1所能提供的电流大小有关。由仿真及分析可知，占空比D越小、R1越大、L越大，磁化电流越小，U1值越小，关断速度越慢。

　　该电路具有以下优点：①电路结构简单可靠，实现了隔离驱动。②只需单电源即可提供导通时正、关断时负压。③占空比固定时，通过合理的参数设计，此驱动电路也具有较快的开关速度。该电路存在的缺点：一是由于隔离变压器副边需要一个假负载防震荡，故该电路损耗较大;二是当占空比变化时关断速度变化加大。脉宽较窄时，由于是贮存的能量减少导致MOSFET栅极的关断速度变慢。表1为不同占空比时关断时间toff（驱动电压从10伏下降到0伏的时间）内变化情况。