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LSI选择赛普拉斯并行nvSRAM非易失性存储器

—— 所选的并行nvSRAM拥有业界最佳速度、可靠性和低工作电压,有助于实现更高性能的存储
作者:时间:2013-09-10来源:电子产品世界收藏

  半导体公司日前宣布,在其用于高性能服务器、工作站和外部的12Gb/s SAS主机总线适配器(HBA)中,选用了的并行非易失性静态随机存取()。为SAS HBA带来高速度、低电压、无故障的,提升了解决方案的性能。选择并行的另一个原因是它可工作在不同的电压下,而且广受媒体好评。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/169783.htm

  LSI近期发布的LSI® SAS 9300 HBA系列产品是业界首款用于高性能服务器、工作站和外部存储系统的12Gb/s SAS HBA解决方案。该系列的产品可加快存储速度,专为诸如交易数据库、Web 2.0、数据挖掘、视频流媒体及编辑等场合的高性能应用而设计。

  并行nvSRAM的存取时间可快至25ns, 是市场上最快的异步非易失性RAM。nvSRAM还具有无限次读写和恢复和20年的数据保存能力,对于需要连续高速数据写入和绝对非易失性数据安全且无需备用电池的应用,这一产品是非常理想的选择。

  LSI高级市场总监Robin Wagner说:“随着数据中心对存储量管理要求的不断提升,对12Gb/s SAS的需求随之增长。我们曾成功地运用过广受媒体赞誉的nvSRAM,完全能满足我们LSI 9300系列产品的严苛要求。并行nvSRAM的灵活性能够接受3V以下的工作电压,从而简化了产品设计流程,加速我们产品的上市进程。”

  赛普拉斯非易失性产品事业部高级总监Rainer Hoehler说:“我们很高兴存储界的领先者LSI采用我们的并行nvSRAM产品。这一产品应用于业界首款12Gb/s解决方案,充分证明了其不同凡响的速度和可靠性。”

  并行nvSRAM系列产品有从256kb到8Mb的多种配置可供选择,并可工作在工业温度范围内,拥有业界标准的封装方式,如32-SOIC, 44-TSOPII, 48-SSOP, 48-FBGA 及 54-TSOPII等。

  赛普拉斯的nvSRAM采用SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存储器制造工艺。nvSRAM非常适合需要高性能和绝对非易失性数据安全的应用,例如RAID系统、PLC、工业数据日志、计算和网络系统、汽车发动机、服务器和交换机、航空电子、军用系统,以及游戏系统等。

  赛普拉斯是SONOS制造工艺的领先者,其旗舰产品PSoC®混合信号阵列、可编程时钟及其他产品均采用这一工艺制造。SONOS与标准的CMOS技术兼容,还具有多种优势,例如长寿命、低功耗和抗辐射。SONOS技术在赛普拉斯自己的工厂和多个合作伙伴的工厂中同时采用。与其他基于磁技术的非易失性存储技术相比,这一工艺在规模和可制造性方面拥有显著的优势。赛普拉斯已发运了超过10亿片采用与nvSRAM中相同的SONOS工艺制造的产品。

  关于赛普拉斯nvSRAM

  赛普拉斯的nvSRAM系采用存储在外部电容器中的电荷,而非电池,从而使这一器件适合于标准的PCB流水线生产。赛普拉斯的nvSRAM符合ROHS标准,可以直接替代SRAM和依靠电池供电的SRAM(BBSRAM)产品,提供快速非易失性数据存储能力。当发生断电的时候,数据可自动从SRAM传输到非易失性单元中。加电之后,数据可从非易失性存储器中恢复至SRAM。在网络、工业、计算和RAID应用中,nvSRAM提供了高速数据传输性能,并在断电的时候,无需电池即可保证数据的完整性。

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