能使导通电阻下降的功率MOSFET相关情况解析方案

工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在极端环境下(如引擎盖下面的汽车电子应用)，温度的迅速上升会使MOSFET意外导通，致使阈值电压接近零伏。

此外，MOSFET还必须能够承受开关关闭瞬间和负载突降故障所导致的高压尖脉冲。电气配线中大量的接头(位于适当位置以方便装配和维修接线)也大幅增加了与器件的电气连接中断的可能性。汽车工业非常关注质量和可靠性，因此MOSFET必须符合国际公认的AEC Q101标准。

上述每个方面都非常重要。但还有另外一个挑战，即提供更高的能量利用效率。在过去的几年里，以电子方式控制的汽车功能所占比重急剧增长。因此，车内的半导体数量也不断增加。某些车辆的IC数量已超过100个。MOSFET必须能够满足为更多IC提供电力所带来的日益增长的能量要求。汽车子系统本身的发展也需要更多的能源。在轻型车辆中日益普及的电动转向系统和防抱死刹车系统就是两个很好的实例。总之，所有这些趋势都刺激了对可承载更大电流的IC的强烈需求。

为了满足对更大电流的需求，半导体公司必须开发出能够使导通电阻(电流流动时的电阻值)下降的功率MOSFET。与常规的MOSFET相比，采用沟槽(Trench)半导体制造工艺生产的MOSFET有助于将导通电阻值降低20%到40%。

但近几年，功率MOSFET技术领域的进步已经将单位硅片面积的导通电阻降至极低的水平，因此器件制造商现在必须寻找其它途径来改进他们的产品。这在采用高密度沟槽技术制造具有低漏极到源极电压的器件时尤其重要。保护是IC公司用来向他们的汽车客户提供性能优势的策略之一。

更多的MOSFET选择

时至今日，挑选MOSFET器件的汽车设计人员只有两种选择：1. 选择无保护策略的“简易型”PowerMOS;2. 选择可在环境条件超出规格时自动关断的带完全保护的器件。

不幸的是，具有附加逻辑电路和保护电路的完全保护器件也有弊端，即实现保护的成本太高。因此，领先的IC公司已在开发一种新型器件，以结合这两者各自的优点。

飞利浦半导体公司的TrenchPLUS系列产品就是一个很好的实例。TrenchPLUS将TrenchMOS技术和附加的功能完整地集成到芯片上。1996年开始采用的TrenchMOS生产工艺把功率MOSFET的导通电阻RDS(on)减小了一半。TrenchMOS与其它功能相结合的优势在于可以保护系统、节约空间，而且无需昂贵的智能功率器件。

TrenchPLUS技术

TrenchPLUS器件集成了板上温度和电流检测特性及附加的电阻和二极管(包括ESD保护)。TrenchPLUS解决方案有助于系统工程师创造出可以在工作过程中测量系统活动的设计，以改善安全性和优化性能。

图1显示了TrenchPLUS类型器件的典型元件集。

图1：TrenchPLUS器件可能具有的附加功能

突出显示的元件组成一个特性板，可以将其中的功能集成到MOSFET中。这些元件从右上角开始按顺时针方向为：温度感应二极管、电流传感器、钳位二极管(内部二极管，未显示)和门电阻器。通过加入钳位二极管和门电阻器众所周知的保护特性，可以保护对电压敏感的栅氧化层免受危险电场的破坏。

为在过高的温度环境下保护器件，飞利浦在芯片表面集成了温度感应二极管。这样集成的理由是：只有直接测量结温方可确保及时检测到会导致危险的高的门电路温度。为准确测量电流，可以将电流传感器集成到场效应晶体管(FET)中。这样，就不再需要低阻抗分流电阻器了。

温度感应

直接测量芯片温度的常规解决方案是增加一个比较器和若干无源元件。但是，随着设计的日益完善，出现了更好的解决方案。TrenchPLUS使用微控制器取代了比较器和无源元件。

由于准确度对MOSFET的温度测量至关重要，所以，我们就从该角度来说明此解决方案。理论上，温度传感器的准确度取决于以下三个因素：

正向电压Vf的误差;

温度系数值Sf的误差;

基准电压Vfref的选择。