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Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列

—— 新的E系列器件具有低至39mΩ的导通电阻和7A~73A电流,采用的超级结技术可实现低FOM和高功率密度,具有8种封装
作者:时间:2012-10-24来源:电子产品世界收藏

  日前, Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其E系列600V功率新增采用8种封装的17款新器件,将该系列在10V下的导通电阻扩展到39mΩ~600mΩ,将最高电流等级扩展至7A~73A。新的E系列采用的下一代超级结技术,使公司进入使用功率转换技术的增量市场,包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/138044.htm

  当前发布的器件使600V E系列MOSFET的器件数量增加到27个。所有的E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷,可实现极低的传导损耗和开关损耗,从而在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体生产设备、适配器和太阳能电池逆变器等高功率、高性能的开关应用中节约能源。

  器件可承受雪崩和通信模式中的高能脉冲,保证通过100% UIS测试时达到极限条件。MOSFET符合RoHS指令。  

 

  这些新款功率MOSFET现可提供样品,量产订货的供货周期为十六周到十八周。



关键词: Vishay MOSFET

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