瑞萨科技向EMT授权无电容器双晶体管
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瑞萨的TTRAM技术可在标准SOI-CMOS技术条件下实现动态的存储单元结构。这个存储单元仅由两个串行连接的晶体管组成,而且无需使用传统存储单元中的金属绝缘层金属电容器。它也无需采用用于电容器特殊掩模组的派生CMOS工艺,而且可以简化片上参考电压源。其存储单元结构在65nm或更高 工艺技术条件下仍然可以实现。
瑞萨科技公司系统核心技术部副总经理Kazutami Arimoto博士表示:“我们非常高兴EMT选择了我们的TTRAM技术来开发他们的大容量系统级芯片(SoC)存储器知识产权。用户需要大存储容量的解决方案,同时又不想在面积、性能和功耗方面做出设计妥协。在EMT被授权基于存储器知识产权的TTRAM技术之后,嵌入存储器用户将很快能够受益于大存储容量、经济有效的解决方案,而这在从前只能采用传统的CMOS工艺实现。我们希望,通过将我们的TTRAM技术与EMT优异的存储器编译技术结合在一起,进一步促进SOI存储器应用的增长。”
Emerging Memory Technologies公司总裁和首席执行官Sreedhar Natarajan表示:“SOI CMOS正在从高性能微处理器领域扩展到广阔的CMOS半导体市场。我们认为,世界一流的存储器设计能力与瑞萨成功的SOI无电容器TTRAM技术的结合,将有助于创造出一种采用SOI CMOS的新型半导体解决方案。”
通过在TTRAM技术方面的合作,两家公司将为他们的用户提供一种大存储容量的存储器解决方案,并对存储器知识产权技术的开发做出贡献。
注释
SOI(硅绝缘体):一种在薄单晶硅层中形成晶体管的半导体制造技术,它是在一种绝缘基底上创建的。
TTRM:瑞萨于2005年9月26日宣布的TTRAM技术。关于进一步的信息,请访问:http://cn.renesas.com/fmwk.jsp?cnt=press_release20050926a.htm&fp=/company_info/news_and_events/press_releases
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