恩智浦推出超高能效比低VF肖特基整流器

　　恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ：NXPI)近日推出采用1.0 x 0.6 x 0.37-mm超小扁平SMD塑料封装DFN1006D-2 (SOD882D)、能效比最高的肖特基整流器。这款20-V、0.5-A PMEG2005BELD肖特基势垒整流器是目前市场上尺寸最小的产品，在0.5-A正向电流下的最大正向电压为390 mV，可以显著提升电池寿命和性能。这款低VF肖特基整流器电气性能卓越，是智能手机、平板电脑等需要在有限的PCB板空间下降低整体功耗的电池驱动型移动设备的理想选择。该款超紧凑肖特基整流器将低正向电压和低反向电流有机结合，在10-V反向电压下的反向电流仅为50 µA，是智能手机、MP3播放器、平板电脑等背光显示器的理想之选。

　　恩智浦二极管产品市场营销经理Wolfgang Bindke博士表示：“在当今的智能手机中，电路板空间十分有限。我们应客户需求，设计了这款最新的低VF肖特基整流器，将体积大两倍的产品的特性整合到一个小型1006 (0402)塑料封装之中，性能丝毫未打折扣。该小型无引脚封装的效率比尺寸相当的其他产品高出20%，由此我们树立了新的低正向电压标准。为了实现这些优良的电气参数，我们对硅晶圆制程和封装线进行了优化。”

　　PMEG2005BELD强大而紧凑，采用恩智浦独有的镀锡可焊性侧焊盘。这些镀锡侧焊盘支持对焊点进行目视检查，因而对制造商具有较大的吸引力。与此同时，借助可焊性侧焊盘，可以减小与PCB电路板之间的缝隙、减少倾斜、提高剪力鲁棒性。　　

• 平均正向电流：IF(AV) ≤ 0.5 A
• 反向电压：VR ≤ 20 V
• 低正向电压：VF ≤ 390 mV(0.5 A正向电流IF)
• 低反向电流：IR ≤ 50 µA(10 V反向电压VR)
• 符合汽车行业标准AEC-Q101=

　　关键优势

• 正向电压低导致功耗下降，进而延长电池寿命
• 超小尺寸成就超高PCB封装密度，导热性卓越
• 器件高度极低(0.37 mm)，支持短距离PCB堆栈、高堆栈密度
• DFN1006D-2 (SOD882D)封装采用镀锡侧焊盘，允许对焊点进行光学检查　　

　　上市时间

　　PMEG2005BELD目前已上市并已实现量产。