新闻中心

EEPW首页 > 网络与存储 > 业界动态 > IBM,美光科技建立与TSV的混合内存

IBM,美光科技建立与TSV的混合内存

作者:时间:2011-12-02来源:电子产品世界收藏

        美光科技公司的混合存储立方体(HMC)对于公司员工来讲,将成为第一个商业化的CMOS制造技术硅穿孔(TSV)工艺,该公司于星期四(12月1日)表示。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/126585.htm

        据(近日,纽约州)介绍,TSV技术将使美光科技公司的HMC设备,实现速度比目前的技术快15倍。公司表示,HMC的部分将在在纽约East Fishkill市的先进的半导体晶圆厂生产,使用该公司的32纳米高-K金属栅极工艺技术。

        十月,美光科技公司和韩国三星电子联合有限公司宣布形成一个围绕HMC公开的联合,技术带来的DRAM记忆体和逻辑工艺一起封装到潜在的功率效率,带宽,密度和可扩展性超过传统的DRAM。公司表示,HMC技术采用先进的TSV的垂直管道,电气连接的单个堆栈芯片,结合美光的DRAM的高性能逻辑。

        IBM表示,它将在12月5日在华盛顿特区IEEE国际电子器件会议,展示其TSV制造突破的细节。



关键词: IBM 混合内存

评论


相关推荐

技术专区