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硅CMOS技术可扩展到10nm以下

—— 半导体制造技术国际会议三星展望未来
作者:时间:2010-12-14来源:中国IC网

  “硅技术完全可以扩展至以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺,硅技术将继续保持其主导地位”。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/115473.htm

  半导体制造技术国际会议“2010 IEEE InternatiONal Electron Devices Meeting(IEDM 2010)”于2010年12月6日在美国旧金山开幕,韩国三星尖端技术研究所(SAMSung Advanced Institute of Technology,SAIT)所长Kinam Kim在整场演讲中率先上台,充满自信地发表了本文开篇那番话。

  在DRAM和NAND闪存等方面,目前正在探讨伴随制造技术微细化而出现的多种技术课题。Kim呼吁与会人士必须勇敢面对这些课题,并在今后通过导入多种新技术来加以克服。

  在不少人认为难以微细化至20nm以下工艺的DRAM方面,Kim表示2010~2015年,在4F2构造存储器单元、硅贯通电极(TSV)以及DRAM芯片上集成光输入输出电路等将取得进展。并预计接下来在2020年以后,通过自旋存储器(Spin-Based Memory)技术的实用化,大容量随机存储器将继续取得进步。

  在有人认为现有浮栅构造同样会在20nm工艺前后出现微细化极限的NAND闪存方面,Kim介绍了旨在打破极限的技术开发工作。首先,要想实现相当于20nm以下工艺的高集成化,就必须导入三维单元积层技术。Kim表示,由此“可以利用旧几代的制造技术,实现与普通二维单元微细化至以下工艺范围时相当的高集成度”。

  Kim指出,2015年以后作为三维NAND闪存的后续产品,主角将有可能转为采用氧化物材料等的新型非易失性存储器。Kim高度评价了ReRAM的前景,认为“后NAND闪存的最有力候补是ReRAM。另外,在新一代通用存储器(Universal Mmemory)中最有希望的估计还是ReRAM”。



关键词: CMOS 10nm

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