Panasonic电工PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的概要2

　　b触点型“PhotoMOS”的开发

　　随着PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的优势被广泛了解，人们将其用于信息通信设备、OA设备、FA设备及其他广泛的领域。为了满足大众进一步的需求，本公司开发出了“可通过机械实现、并拥有所有触点构成(b触点、c触点)”的PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器。

　　为实现该产品的开发，我们在功率MOSFET制造工艺中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Doping Method)且高耐压、低导通电阻的耗尽型功率MOSFET。

　　这种DSD法是在以往生产增强型功率MOSFET时所使用的双重扩散法中，增加了可选择性地将杂质部分扩散的技术，且该方法在补偿沟道杂质浓度的同时，形成与基板浓度相同的低浓度的浅层。图1为两者赛璐珞部分截面构造图的比较。

　　如图2所示，该功率MOSFET在栅极电压为0且为低导通电阻(Typ.18Ω)时，可保持良好的导通状态，但是一旦在栅极施加微小的附加电压，即会呈现出高耐压(400V以上)的高绝缘性(低漏电流：1μA以下)(如图3所示)。

　　这种高耐压、低导通电阻性能原本为二律背反关系，故在传统的增强型功率MOSFET中就已经需要高度的技术水平，因此该性能在耗尽型功率MOSFET中能够得以实现可以说是具有了划时代意义。