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华虹NEC两项新技术荣获2009年度中国半导体创新产品和技术奖

作者:时间:2010-04-12来源:电子产品世界收藏

  2010年中国半导体市场年会于2010年3月9日至10日在上海召开。大会公布了由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备工业协会、中国电子报等单位共同评选出的 “第四届(2009年度)中国半导体创新产品和技术”获奖结果,上海电子有限公司(以下简称“”)的“0.13微米SONOS工艺技术”和“芯片超级同测技术(SCT)”两个项目分获殊荣。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/107855.htm

  的0.13微米SONOS 工艺技术具有低动态电流,极低静态电流,存储单元小,容量可配置,读出速度快等优良性能。达到业内领先的可靠性擦写寿命和数据保持时间。目前该技术平台拥有各种容量的嵌入式闪存IP,齐全的模拟IP,高速静态随机存储器和低功耗设计库,高性能的IO单元以及完善的产品和测试方案,可广泛应用于智能卡、MCU/SOC以及USB Key等产品。

  华虹NEC成功地研发出世界领先的芯片同测数最高可达512的“超级同测技术(SCT,Super Concurrent Testing)”。此技术的研发成功,有效地降低了成本,提升了测试效率和产品的竞争力,实现了最高可达较原有技术平台的八倍测试效率,并可支持芯片高集成的,成为当今世界领先的测试技术平台。此测试平台现已成功应用,作为华虹NEC制造服务的拓展。此创新技术为国内主要集成电路设计公司的自主产品(智能卡、USB Key、可编程MCU等)提供了最优化的测试方案。

  华虹NEC总裁兼首席执行官邱慈云博士表示,“我们十分荣幸在中国半导体创新产品和技术评选中荣获两个奖项,这是华虹NEC持续创新的结果。华虹NEC一直保持着嵌入式非挥发性存储器技术领域的业界领先地位,也是中国智能卡与SIM卡芯片的最主要的制造商。本次获奖的两个项目正是华虹NEC过去几年来在嵌入式非挥发性存储器领域的最新成果,为下一代智能卡芯片提供了极具竞争力的全套工艺、设计支持与量产测试解决方案。”



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