3G基站：LDMOS技术提升3G基站能效

　　我国的3G网络发展潜力举世瞩目，3G建设中最为关键的基站部署也已成为业界关注的核心。以高效功放、多载频技术、分布式架构、增强型室内覆盖等为代表的新一代基站创新性技术，将会让运营商实现高性能、低成本的网络部署。其中，功放效率问题是所有厂家追求的一个热点。因为提高功放效率不仅能够为运营商节省电费、节省电源等配套设施的投资，还能降低整机散热的要求，增强设备的稳定性。

　　从成本上看，功率放大器是基站上最昂贵的器件，其成本约占基站总成本的60%，而功放管又是功率放大器上最贵的器件，其成本约占80%。除成本之外，功率放大器的功耗占基站总体耗电的80%左右，其体积也占基站的很大比例。因此，降低功率放大器的功耗、体积，减少功放管的数量对于3G基站是至关重要的。随着移动电信运营商开始提供基于HSDPA和LTE等技术的超高速服务，无线网络基础设施的功率需求也已达到空前的水平。数据驱动型服务逐渐成为无线基础设施的更重要的组成部分，这也使得一流的RF功率放大器性能成为必需。

　　恩智浦在RF、功率和数字处理等领域保持了全球领先的地位，这使得该公司能为最广泛的客户群体提供绿色芯片，其LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术使该公司可以为无线通信设备提供强有力的支持。

　　今年2月，恩智浦推出全球首款TD-SCDMA(时分同步的码分多址技术)和WCDMA(宽带码分多址技术)基站用全集成Doherty功率放大器——— BLD6G21-50和BLD6G22-50。BLD6G21-50全集成Doherty功率放大器利用了恩智浦先进的第6代LDMOS技术，专门针对工作在2010MHz至2025MHz频率范围的TD-SCDMA标准而设计;BLD6G22-50则 是 针 对 工 作 在2110MHz至2170MHz频率范围的WCDMA标准而设计。该系列器件还具有一个优势就是将传统基于Doherty技术的功率放大器中需要的两个功放管减少为一个，使得功率放大器的体积和成本都大幅降低。

　　如今，恩智浦的LDMOS技术已经演进到第7代，并于今年4月推出首款基于第7代LDMOS技术的基站功率晶体管。与上一代产品相比，该款产品的功率密度提高了20%，功率效率增长了2个百分点，而热阻则降低25%以上。高性能的LDMOS基站晶体管将使其功率增加效率远高于同类竞争产品。

　　今年，恩智浦更创造性地提出三路Doherty概念，将Doherty放大器的优势与第7代LDMOS技术巧妙地结合起来，实现了高能效水平和良好的预失真能力，同时显著节省了成本，并使得系统的总功耗也显著降低。