HMC347A-Die单刀双掷（SPDT）

HMC347A-Die 是ADI生产制造的一款宽带、非反射式、砷化镓（GaAs）假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）单刀双掷（SPDT）单片微波集成电路（MMIC）芯片。HMC347A-Die采用独特的砷化镓(GaAs)工艺技术。适合用在 0.1 GHz 至 20 GHz 的工作频段，具有较高的隔离度和低插入损耗，尤其适合高频率应用领域。

基本参数

工作频率范围：0.1 GHz 至 20 GHz

插入损耗：0.1 GHz 至 10 GHz：1.6 dB

隔离度：0.1 GHz 至 10 GHz：47 dB

输入线性：输入1 dB压缩点（P1dB）：29 dBm（标称值）

功率处理效率：通过线路：27 dBm

控制电压：-5V/0V

工作温度范围：-55°C 至 +85°C

封装形式：10-Pad裸芯片

封装与安装需求

HMC347A选用裸片(die)形式封装，背部金属化处理，需要使用金锡(AuSn)共晶预制构件或导电性环氧树脂直接贴装到接地层。芯片直径是0.102mm(4密耳)，安装时需重点关注以下要点：

基板选择：建议使用0.127mm(5mil)厚氧化铝薄膜基板上的50Ω微带同轴电缆。

共轴处理：在使用0.254mm(10密耳)厚基板时，需将芯片提高0.150mm(6密耳)使其表面与基板共轴。

散热考虑：需通过0.15毫米厚钼散热器连接芯片与接地层。

应用领域

测试设备：用作高频噪声的测试和测量。

微波无线通信和甚小孔径终端（VSAT）：在无线电频率中实现切换控制。

军工用无线通信、雷达和电子对抗（ECM）：满足军事通信和雷达系统对高频开关的需求。

宽带电信系统：在宽带通信网络中实现信号路由和切换。

光纤产品：在光纤通信中用于切换控制和路由。

空间应用：适合用在航天器等空间设备中的高频率切换控制。

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