高隔离度、硅SPDT、非反射开关，9 kHz至13.0 GHz

　　产品特性

　　非反射式50 Ω设计

　　正控制电压： 0 V/3.3 V

　　低插入损耗： 0.68 dB (8.0 GHz)

　　高隔离度： 48 dB (8.0 GHz)

　　高功率处理

　　35 dBm(通过路径)

　　27 dBm(端接路径)

　　高线性度

　　1 dB压缩(P1dB)： 37 dBm(典型值)

　　输入三阶交调截点(IIP3)： 62 dBm(典型值)

　　ESD额定值： 2 kV人体模型(HBM)

　　3 mm x 3 mm、16引脚LFCSP封装

　　无低频杂散

　　建立时间(最终RFOUT的0.05 dB裕量)： 7.5 µs

　　应用

　　测试仪器仪表

　　微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)

　　军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)

　　光纤和宽带电信

　　功能框图

　　概述

　　HMC1118是一款通用、宽带、非反射式单刀双掷(SPDT)开关芯片，采用LFCSP表贴封装。 该开关频率范围为9 kHz至13.0 GHz，具有高隔离度和低插入损耗。 该开关具有48 dB以上的隔离性能，8.0 GHz及以下频率时的插入损耗为0.68 dB，最终RFOUT的0.05 dB裕量的建立时间为7.5 us。 该开关采用+3.3和0 V的正控制电压逻辑线路工作，需要+3.3 V和−2.5 V电源供电。 仅施加一个正电源电压而负电源电压(VSS)接地时，HMC1118的工作频率范围不变，并且仍能保持良好的功率处理性能。 HMC1118采用3 mm × 3 mm表贴LFCSP封装。

　　技术规格

　　电气规格

　　除非另有说明，VCTRL = 0 V/3.3 V dc，VDD = LS = 3.3 V dc，VSS = −2.5 V dc，TA = 25°C，50 Ω系统。

　　表1

　　数字控制电压

　　除非领域说明，VDD = 3.3 V ± 10%，VSS = −2.5 V ± 10%，TCASE = −40°C至+85°C。

　　表2

　　偏置和电源电流

　　表3

　　绝对最大额定值

　　表4

　　注意，等于或超出上述绝对最大额定值可能会导致产品永久性损坏。 这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断产品能否正常工作。 长期在超出最大额定值条件下工作会影响产品的可靠性。

　　图2. 功率减额(通过路径)

　　图3. 功率减额(通过路径，低频细节)

　　图4. 功率减额(热切换功率)

　　ESD警告