HBT技术资讯-电子产品世界网

介绍了一款满足于5G通信发展要求，工作频率高增益，高线性度，高三阶交调点的射频放大器的设计。采用砷化镓异质结晶体管（GaAs HBT）工艺，基于达林顿结构进行设计。在原有结构基础上，添加了偏置结构，一方面提高了放大器工作...

202306 射频放大器 2023-07-06

摘要：针对WIFI 6E频段的设备需求，设计了一款工作在5.9 GHz~7.2 GHz的宽带砷化镓异质结双极型晶体管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器为三级放大拓扑结构，采用自适应偏置电路结构解决HBT晶体管...

202206 功率放大器 2022-06-15

本文介绍了一款用于无线局域网802.11n的10W功率放大芯片。该芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特点，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技术，芯片面积仅为10mm×10mm。功率放大器采用了热分流式结构，...

功率放大器 802.11n 2016-03-28

2011年9月13日日本东京讯—高级半导体厂商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）宣布推出新款SiGe:C异质接面晶体管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作为低噪声放大晶...

瑞萨晶体管 2011-09-27

电感在射频单片集成电路中具有重要作用，主要具备阻抗转换、谐振、反馈、滤波等功能。随着无线通信技术的迅速......

SiGe HBT 2011-06-07

本文设计了四种结构的射频有源电感，其中包括两种正电感和两种负电感。研究结果表明由晶体管构成的有源电感的性能受晶体管的组态及偏置影响较大。四种电路结构中，由共射放大器与共集放大器级联反馈构成的有源电感性能较好。采用回转器...

电感设计 2011-03-23

　　Avago Technologies(安华高科技)今日宣布推出两款新经济型容易使用的通用InGaP异质结双极晶体管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方块放...

Avago 放大器 2010-03-03

　　Strategy Analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底市...

GaAs 外延衬底 2009-08-03

0 引言　　SiGe基区异质结双极型晶体管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技术首次制作出SiGe基区HBT以来，SiGe集成电路的规模和电路的速度不断发展，电流增益和频率响...

HBT 2008-11-10

电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园...

射频 GSM 2007-03-12

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