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金属半导体场效应晶体管 MESFET metal-semiconductor FET 金属半导体场效应晶体管,又称肖特基势垒场效应晶体管,是利用金属半导体接触(或肖特基结)作为栅极结构,通过栅极(相对于源极)电压调制源、漏极间电导而构成的场效应晶体管。 1、分类按沟道种类:N沟道MESFET P沟道MESFET 按工作模式:耗尽型(D型)MESFET(常开型)---零栅压时有沟道存在 &nbs…… + 查看全文 金属半导体场效应晶体管,又称肖特基势垒场效应晶体管,是利用金属半导体接触(或肖特基结)作为栅极结构,通过栅极(相对于源极)电压调制源、漏极间电导而构成的场效应晶体管。 1、分类 按沟道种类:N沟道MESFET P沟道MESFET 按工作模式:耗尽型(D型)MESFET(常开型)---零栅压时有沟道存在 增强型(E型)MESFET(常闭型)---零栅压时无沟道存在 2、特点 电流传输只由多数载流子承担,不存在少数载流子储存效应,有利于提高频率和开关速度。 为电压控制型器件,输入信号为电压 高输入阻抗,相当于肖特基结反偏时的阻抗。查看更多>>

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