市场研究机构CoughlinAssociates的最新报告预测，磁阻式随机存取记忆体(MRAM)──包含磁场感应(field-induced)以及自旋力矩转移(spin-torquetransition，STT)等形式──将在未来因为取代DRAM与SRAM而繁荣发展。
CoughlinAssociates的报告指出，因为具备省电与非挥发特性，MRAM/STTMRAM市场营收规模可望由2013年的1.9亿美元左右，到2019年成长至21亿美元;期间的复合年平均成长率(CAGR)估计为50%。
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MRAM CMOS
本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。铁电存储器(FeRAM)铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前应用于存储
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FeRAM MRAM OUM 非易失性存储器
专门授权自旋电子(spintronics)磁阻随机存取内存(MRAM)技术的自旋电子组件开发商NVR公司表示，该公司已于美国联邦法院对 MRAM 供货商Everspin Technologies提出侵权诉讼，以捍卫其自旋电子 MRAM 专利技术。
NVE公司指出，在美国明尼苏达州地方法院提起的这项诉讼案指控Everspin侵犯了NVE公司的三项 MRAM 专利。根据NVE公司表示，该侵权诉讼将寻求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止继续使用该技术，并针对其侵权行为造成的NVE财务损失进行
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NVE 内存 MRAM
法国研究机构SPINTEC与开发MRAM技术的Crocus Technology共同开发出了将热辅助切换(Thermally Assisted Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技术。并在2011年10月31日于美国亚利桑那(Arizona)州斯科茨戴尔(Scottsdale)开幕的磁技术国际会议“56th MMM”的首日进行了发布。
TAS技术是一项边用加热器对MTJ元件存储层进行加热，边写入数据的技术。对存储层进行加热后，矫顽力会
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MRAM 20nm
韩国Hynix与日本东芝公司近日宣布两家公司将共同开发STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋转移矩磁阻RAM)技术,两家公司均认为这项技术是非常重要的下一代非易失性存储技术之一。一旦有关的技术研发完成之后，两家公司计划成立一 家专门生产STT-MRAM的芯片制造公司。另外，作为这次合作战略的其它部分，两家公司还将扩大专利交叉授权的范围。
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Hynix STT-MRAM
磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。
Everspin科技公司首席运营官Saied Tehrani表示：“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图，我们将不断提高MR
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Everspin MRAM
根据韩联社(Yonhap)报导，韩国政府宣布，已与半导体厂三星电子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，进行磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研发专案，以维持韩国在半导体产业的领先地位。
韩国知识经济部半导体与面板部门首长 Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研发完成，韩国于2015年将可掌握大约45%的30奈米制程存储器芯片市场，并预估该市场于2
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Samsung 芯片制造 MRAM
去年，一场严重的“价格寒流”席卷了整个存储芯片领域，存储芯片市场亦受到了前所未有的冲击。业界巨头三星电子2007年第四季度财务报告显示，由于计算机存储芯片的平均销售价格迅速下滑，该公司的利润下降了6.6%。DRAM生产商尔必达(Elpida)也宣布其销售额下滑了34%，并且第三财季净亏损达1.132亿美元。台湾地区厂商茂德科技也因存储芯片价格下跌和供过于求而宣布亏损。
存储芯片市场阴霾的表现，迫使许多厂商削减生产或推迟了Fab的投产计划。美光(Micron)近期就宣布，将
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磁阻式随机存储器（MRAM）将优于快闪记忆体（Flash闪存）？飞思卡尔半导体正试图证明这一点。
根据消息，飞思卡尔半导体（前摩托罗拉公司芯片部门）周一宣布，它已经获得了几个风险投资公司的加入。据悉他们将联合成立一家命名为Everspin科技的独立技术公司，侧重于研发制造MRAM（磁阻式随机存储器），其目的是为了“扩大MRAM及其相关产品的市场份额”。
MRAM与快闪记忆体不同，它使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
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MRAM 快闪记忆体 Flash DRAM Everspin
相变内存(Phase Change Memory，PCM)是近年来内存业界热门研发主题之一，针对此一新式内存技术发展趋势与厂商专利现况，工研院IEK-ITIS计划发表最新研究报告指出，台湾地区已有不少厂商投入该技术的研发，相较于FeRAM与MRAM，在PCM领域发展机会较大。 工研院IEK-ITIS计划分析师陈俊儒表示，相变化材料在1970年代开始有重量级的公司投入研究资源，但受限于当时半导体工艺技术，相变化材料在2000年以前的商业应用还是以光盘片为主
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Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁体层并不是单纯的铁磁板。相反，它们是合成的反铁磁体(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治结构，由两个反向对准的铁磁材料层以及两层材料之间所夹的一层非磁性材料耦合隔层而组成。图2示出了一个SAF位单元。SAF三明治结构产生磁致电阻效应的能力并不会因为它的混合式结构而受到影响。对准和反对准只取决于MTJ结构两侧相对的两层材料。将两层板材组成SAF，就可以让每层板变成“磁矩平衡”—净外磁场为零
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摘要： Freescale运用自旋电子技术制作了新的非易失性RAM，本文对此进行了详细介绍。关键词： MRAM；自旋电子；位线；字线
在半导体业界，微处理器是一种更有魅力，利润更高，而且更难以设计的产品，而内存芯片在推动半导体技术向前发展的过程中则会起到关键性的作用。Intel早期的成功，来源于其1970年推出的、当时业界第一款DRAM芯片，1kb的1103。两年后，1103成为业界销售情况最好的内存芯片，在很多新的系统设计中取代了磁芯存储器。DRAM在过去的岁月中成为半导体技术发展
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