据报道，三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局，因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。 三星3月6日宣布，已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。该公司在首尔近郊京畿道器兴厂房举行了仪式，标志着新内存产品的首次发货。 这种解决方案无需在数据记录期间擦除数据，并实现了比传统闪存快1000倍左右的写入速度。三星表示，由于它在断电时保存了存储的数据，并且不使用额外的备用电源，所以它的功耗也很
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MRAM 三星
在第 64 届国际电子器件会议 (IEDM) 上，全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。 MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式随机存取存储)，是一种非易失性存储技术，从 1990
年代开始发展。此技术速度接近静态随机存储的高速读取写入能力，具有闪存的非挥发性，容量密度及使用寿命不输 DRAM，但平均能耗远低于
DRAM，而且基本上可以无限次地重复写入。 英特尔曾表示其嵌入式 MRAM 技术可在200℃下实
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英特尔 MRAM
联华电子今(6日) 与下一代ST-MRAM(自旋转移力矩磁阻RAM)领导者美商Avalanche共同宣布，两家公司成为合作伙伴，共同开发和生产取代嵌入式内存的磁阻式随机存取内存(MRAM)。同时联华电子也将透过Avalanche的授权提供技术给其他公司。 联华电子根据此合作协议，于28纳米CMOS制程上提供嵌入式非挥发性MRAM区块供客户将低延迟、超高效能及低功率的嵌入式MRAM内存模块整合至应用产品，并锁定在物联网、穿戴装置、消费型产品，以及工业、车用电子市场的微控制器(MCU)和系统单芯片(So
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联华电子 MRAM 28纳米
近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中，首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取存储)和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年
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嵌入式存储器 MRAM eRRAM 物联网
半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器 (MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景，重点说明初始阶段面临的一些挑战，并探讨实现 STT MRAM 商业可行性的进展。 应用材料公司为实现 STT MRAM 的制造提供了多项重要创新，包括基于Endura® 平台上的PVD创新以及特别的蚀刻技术。利用这些新技术并借助梅丹技术中心的设施来加工并测试器件阵列，我们验证了 STT MRAM 的性能和可扩展性。 如今，除了逻
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STT MRAM
MRAM新创公司STT开发出一种存储器专有技术，据称可在增加数据保持的同时降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。这种新式的“岁差自旋电流”(PSC)储存结构将在MRAM市场扮演什么角色?它能成为加速MRAM市场起飞的重要推手吗? 磁阻式随机存取存储器(Magnetic RAM;MRAM)新创公司Spin Transfer Technologies (STT)最近开发出MRAM专用技术，据称能以同步提高数据保持(retention)与降低电流
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MRAM SRAM
汽车系统的设计变得越来越复杂，因为要不断的加入新的功能，如高级驾驶辅助，图形仪表，车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作，每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器，以便在复位操作和电源切换期间存储信息。非易失性存储器用于存储可执行代码或常量数据、校准数据、安全性能和防护安全相关信息等重要数据，以作将来检索用途。 目前市场上主要包含这几种不同类型的非易失性存储器，如NOR 闪存、NAND 闪存、EEPROM(可擦除的可编程只读存储器)、FRAM(铁电存储器)，MRAM
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MRAM FRAM
摘要: VDMR8M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的TTL同步静态存储器(MRAM)，可利用其对大容量数据进行高速存取。本文首先介绍了该芯片的结构和原理，其次详细阐述了基于magnum II测试系统的测试技术研究，提出了采用magnum II测试系统的APG及其他模块实现对MRAM VDMR8M32进行电性测试及功能测试。其中功能测试包括全空间读写数据0测试，全空间读写数据1，以棋盘格方式进行全空间读写测试。另外，针对MRAM的关键时序参数，如T
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VDMR8M32 MRAM
全球主要晶圆代工厂计划在2017年与2018年提供磁阻式随机存取记忆体(MRAM)作为嵌入式储存解决方案，可望改变下一代储存技术的游戏规则。
据SemiEngineering网站报导，GlobalFoundries、三星(Samsung)、台积电(TSMC)和联电(UMC)计划在2017年稍晚开始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NORFlash，此举代表市场的巨大转变，因为到目前为止，只有Everspin已经为各种应用提供MRAM，例如电池供电的SRAM替代品、读写缓存(WriteCa
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MRAM 晶圆
全球主要晶圆代工厂计划在2017年与2018年提供磁阻式随机存取存储器(MRAM)作为嵌入式储存解决方案，可望改变下一代储存技术的游戏规则。
据Semi Engineering网站报导，GlobalFoundries、三星(Samsung)、台积电(TSMC)和联电(UMC)计划在2017年稍晚开始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此举代表市场的巨大转变，因为到目前为止，只有Everspin已经为各种应用提供MRAM，例如电池供电的SRAM替代品、读写缓存(Write
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存储器 MRAM
随着更多业者进入MRAM市场，STT执行长Barry Hoberman在日前受访时谈到了MRAM带来的商机及其可能取代现有主流存储器技术的未来前景。
或许有人会把2016年形容为磁阻式随机存取存储器(MRAM)市场的引爆点。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出货商用MRAM产品的公司。不过，就像Spin Transfer Technologies(STT)执行长Barry Hoberman一如既往地表达肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM业者铺路。
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MRAM DRAM
MRAM是新兴的存储器，为晶圆制造代工业竞争主轴之一。先讲结论，MRAM的最近发展令人兴奋。它虽然是新兴的存储器，却成为传统上以逻辑线路为主的晶圆制造代工业竞争主轴之一。
MRAM研发的挑战一直都是良率和微缩。良率的提升除了晶圆厂各自在制程上的努力之外，机器设备厂商也出力甚多，这是几家大机器设备厂商先后投入这即将兴起设备市场良性竞争的结果。MRAM相关制程主要有磁性材料的蚀刻(etcher)与溅镀(sputter)两种设备，最近新机型的溅镀设备表现令人惊艳，这将有助于晶圆厂MRAM制造良率的提升
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DIGITIMES MRAM
晶圆代工大厂台积电和三星的竞争，现由逻辑芯片扩及内存市场。台积电这次重返内存市场，瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存，因传输速度比一般闪存快上万倍，是否引爆内存产业的新潮流，值得密切关注。
台积电技术长孙元成日前在台积电技术论坛，首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取内存)和eRRAM(嵌入式电阻式内存)分别订明后年进行风险性试产，主要采用22奈米制程，这将是台积电因应物联网、行动装置、高速运算计算机和智能汽车等四领域所提供效能更快速和耗电更低的新内存。
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台积电 MRAM
被视为次世代存储器技术之一的自旋力矩传输存储器(STT-MRAM)，在2016年12月举办的国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公开了若干突破性研究成果，最值得注意的是推出了容量超过1Gb的产品，以及将STT-MRAM嵌入CMOS逻辑芯片的技术实证。
MRAM算是次世代非挥发性存储器科技中出现较早的一种，其记忆单元以磁隧结(MTJ)组成，由于占用体积大与耗电量高，最大容量约16Mb，仅适用于若干特殊需求;MTJ水平排列的i
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三星 MRAM
在今年即将于美国加州举行的国际电子元件会议(IEDM)上，来自三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究团队预计将发表多项有关磁阻式随机存取记忆体(MRAM)的最新发展。
此外，三星的研发团队以及旗下LSI业务部门显然也将再次发表其致力于开发MEMS的最新成果。
三星将分别透过口头简报以及海报展示双管齐下的方式，介绍在28nm CMOS逻辑制造制程中嵌入8Mbit自旋传输(STT) MRAM等主题。在该公司发表的论文主题中，研究人员们将这种电路形
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28nm MRAM
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