- 随着信息科学的飞速发展，数据采集和存储技术广泛应用于雷达、通信、遥测遥感等领域。在高速数据采集系统中，由ADC转换后的数据需要存储在存储器 中，再进行相应的处理，保证快速准确的数据传输处理是实现高速数据采集的一个关键。由于高速ADC的转换率很高，而大容量RAM相对ADC输出速度较慢， 保持高速数据存储过程的可靠性、实时性是一个比较棘手的问题。对于数据采集系统中的大容量高速度数据存储、传输，本文提出一种基于FPGA的多片RAM实 现高速数据的存储和传输的方案，并应用于1GS/s数据采集系统中，实现了以低
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数据采集 存储 传输 ADC SRAM RAM FIFO
- 近日，瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）推出总共八款SH7262和SH7264高性能32位微控制器新产品型号，这些集成了1M字节片上SRAM的器件适用于数字音频和图形仪表盘应用。样品将从2008年8月开始在日本交付。
作为SuperH*1 系列32位RISC微控制器/微处理器的组成部分，SH7262和SH7264属于针对数字音频应用的SH7260系列微控制器。芯片上集成的1M字节SRAM，可以用来取代外部SDRAM。这将有助于实现主要采用单芯片的图形仪表盘系统强大的
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瑞萨科技 SRAM 微控制器 数字音频 图形仪表盘 芯片
- 基于SRAM的可重配置PLD（可编程逻辑器件）的出现，为系统设计者动态改变运行电路中PLD的逻辑功能创造了条件。PLD使用SRAM单元来保存字的配置数据决定了PLD内部互连和功能，改变这些数据，也就改变了器件的逻辑功能。
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SRAM 可重配置 电路
- 分别基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E，介绍了采用两种不同的RAM结构，通过CPLD来设计并实现大容量FIFO的方法。
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SRAM DRAM FIFO 大容量
- 如今，电子技术发展迅猛，尤其是单片机已广泛地应用于通信、交通、家用电器、便携式智能仪表和机器人制作等领域，产品功能、精度和质量均有大幅度提高，且电路简单，故障率低，可靠性高，价格低廉。在单片机的某些应用中，如果不对系统的外部SRAM进行扩展，就不能满足系统设计的要求。因此如何扩展、扩展什么类型的芯片、扩展的容量多大就成为值得考虑的问题。这个问题解决的好与坏直接关系到项目的成败。本文介绍在AVR ATmegal28中如何实现扩展掉电数据不丢失的512 KB SRAM的方案。
1 系统硬件结构
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ATmegal28 SRAM
- 基于SRAM结构的FPGA容量大，可重复操作，应用相当广泛;但其结构类似于SRAM，掉电后数据丢失，因此每次上电时都需重新加载。
目前实现加载的方法通常有两种：一种是用专用Cable通过JTAG口进行数据加载，另一种是外挂与该FPGA厂商配套的PROM芯片。前者需要在PC机上运行专用的加载软件，直接下载到FPGA片内，所以掉电数据仍然会丢失，只适用于FPGA调试阶段而不能应用于工业现场的数据加载。
后者虽然可以解决数据丢失问题，但这种专用芯片成本较高，供货周期也较长(一般大于2个月)，使F
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SRAM TMS320C61416 FPGA
- 铁电存储器同时具备可存储大量资料的动态随机存储器DRAM)与高速运作的静态随机存储器(SRAM)的优点，且在断电后，资料不会消失，亦具备快闪存储器的优点。在所有非易失性存储器(NVM)中，铁电存储器件被认为是最有吸引力的用于IT的存储器件之一[1]。1T单元体积更小，集成度更高。特别是这种方式易于实现多值存储，在相同规模下可以达到更高的存储容量，因而在提高性价比方面具有极大的优势。
为了系统地从理论上研究铁电存储器IT单元特性，米勒首先提出了数学模型[2]。后人也有用实验数据、依据实验数据得到的
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存储器 SRAM NVM 存储器
- 针对嵌入式系统的低功耗要求，采用位线分割结构和存储阵列分块译码结构，完成了64 kb低功耗SRAM模块的设计。 与一般布局的存储器相比，采用这两种技术使存储器的功耗降低了43% ，而面积仅增加了18%。
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DBL 嵌入式系统 SRAM 低功耗 嵌入式
- 如果你认为过去的归过去，未来的归未来，那么你就错了，因为没有过去就不会有现在，没有现在当然就不会有未来。然而过去、现在、未来之间是如何相互依存的呢？从某方面来说这是神秘难以解答的一件事，但简单来讲就是靠记忆的作用，过去虽然不存在了，却可以回想，未来虽然还没有决定，现在却可以一步步去计划、设想与实践
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NVM SRAM DRAM
- 本文针对 CPLD的核心可编程结构：P-Term和可编程互连线，采用2.5V、0.25μmCMOS工艺设计了功能相近的基于SRAM编程技术的可重构电路结构。
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SRAM PLD 编程技术 核心
- 摘要：首先对采用SRAM工艺的FPGA的保密性和加密方法进行原理分析，然后提出一种实用的采用单片机产生长伪随机码实现加密的方法，并详细介绍具体的电路和程序。
关键词：静态随机存储器（SRAM） 现场可编程门阵列（FPGA） 加密
在现代电子系统设计中，由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性，而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺，要求每次上电，对FPGA器件进行重配置，这就使得可以通过监视配置的位数据流，进行克隆
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静态随机存储器（SRAM） 现场可编程门阵列（FPGA） 加密 MCU和嵌入式微处理器
- 在现代电子系统设计中，由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性，而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺，要求每次上电，对FPGA器件进行重配置，这就使得可以通过监视配置的位数据流，进行克隆设计。因此，在关键、核心设备中，必须采用加密技术保护设计者的知识产权。 1 基于SRAM工艺FPGA的保密性问题 通常，采用SRAM工艺的
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嵌入式系统 单片机 SRAM FPGA 加密 嵌入式
- 2007年6月12日，瑞萨开发出一种可在32 nm(纳米)及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC(系统级芯片)中的片上SRAM。
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瑞萨 SRAM Renesas
- 存储器在半导体行业就是一块万能膏药，或者嵌入到SoC里或者当做单独的存储元件，有数据计算和程序存储的要求就有它的用武之地。当前的主流半导体存储器可以简单的分成易失性和非易失性两部分，它们各有所长，应用领域也因这一特性而是泾渭分明。
易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM，SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据，但是RAM 类型的存储器易于使用、性能好。非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于ROM（只读存储器）技术，包
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DRAM FeRAM RAM SRAM 存储器
- 瑞萨科技（Renesas Technology Corp.）与松下电器产业有限公司宣布，共同开发出一种新技术，可以使45nm工艺传统CMOS的SRAM（静态随机存取存储器）稳定工作。这种SRAM可嵌入在SoC（系统(集成)芯片）器件和微处理器（MPU）当中。经测试证实，采用该技术的512Kb SRAM的实验芯片，可以在宽泛的温度条件下（-40℃－125℃）稳定工作，而且在工艺发生变化时具有较大的工作电压范围裕量。用于实验的SRAM芯片采用45nm CMOS工艺生产，集成了两种不同的存储单元设计，一个元
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SRAM 瑞萨科技 松下 存储器
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