2007年6月12日，瑞萨开发出32纳米及以上工艺片上SOI SRAM前瞻技术 作者： 时间：2010-01-12 来源：电子产品世界 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 2007年6月12日，瑞萨开发出一种可在32 nm(纳米)及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC(系统级芯片)中的片上SRAM。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/105010.htm
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