- 摘要： 本文介绍了针对高端存储应用的最新非易失性存储器NVSRAM。可以根据应用要求以及功能需要选择最佳的非易失性存储器架构。关键词： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM
概述众所周知，在非易失性存储器领域，市场热度节节攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成员—NVSRAM。NVSRAM 为 Non-volatile SRAM缩写，即为非易失性SRAM。本文将比较各类非易失性存储器，并介绍NVSRAM的特点和优势， NVSRAM 的应用以及工作方式。 非易失性存储器应用
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- 在现代电子系统设计中，由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性，而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺，要求每次上电，对FPGA器件进行重配置，这就使得可以通过监视配置的位数据流，进行克隆设计。因此，在关键、核心设备中，必须采用加密技术保护设计者的知识产权。
1 基于SRAM工艺FPGA的保密性问题
通常，采用SRAM工艺的FPGA芯片的的配置方法主要有三种：由计算机通过下载电缆配置、用专用配置芯片（如Altera公司的EPCX系列芯片）配置、采用存储器
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- 引言同步SRAM的传统应用领域是搜索引擎，用于实现算法。在相当长的一段时间里，这都是SRAM在网络中发挥的主要作用。然而，随着新存储技术的出现，系统设计师为SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(网流)、计数器、统计、包缓冲、队列管理和存储分配器。 如今，人们对所有路由器和交换机的要求都不仅限于FIB(转发信息库)搜索。计数器需要跟踪接受服务的信息包数量，并获取统计数据来解决帐单编制问题。通过统计来连续监视网络(被称为NetFlow)，从而完成问题检测和判定。随着每个信息包处理量的增加，需要采用包
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- IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步双口静态存储器（SRAM），可实现不同传输方式的双路高速数据流的无损传输。
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V9289 SRAM IDT
- ISSCC 会议文件论述 SRAM 将有望使电池供电产品实现超低功耗 日前，麻省理工学院 (MIT) 的研究员将在著名的国际固态电路会议 (ISSCC) 上展示一款采用德州仪器 (TI) 先进 65 纳米 CMOS 工艺制造的超低功耗 (ULP) 256kb 静态随机存取存储器 (SRAM) 测试器件。该款 SRAM&
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MIT DARPA SRAM 德州 存储器
- 按惯例，设计人员总把SRAM 作为其最基本的形式，即单端口、单时钟域器件。在需要更高性能时，设计人员通常会选择更高的时钟频率和更宽的总线。尽管这样可以显著提高 SRAM 性能，但却并不是唯一的方法。我们也可以开发用于先进通信系统的存储器，这就将工作重点转向了带宽，而不是时钟频率。存储器带宽的定义为：给定时间内可通过器件访问的数据量。通常单位为Mbps乃至极高性能存储器的Gbps。带宽的主要组成部分为 I/O 速度、接入端口宽度以及存储器可用的接入端口数量。用以下简单的方程式可计算出带宽：带宽=I/O速度
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SRAM 存储器
- SRAM一直是网络应用的重要组成部分，它可提高带宽，从而在许多高性能应用中起着主导作用。这些应用包括无总线时延 (NoBL)和四倍数据速率 (QDR) 等。就系统资源及内存带宽要求而论，分组处理对内存带宽的要求最高。分组处理块内部的多个功能以及其它存储功能要求采用不同的 SRAM 架构。因此需要采用支持 SRAM 的新型协议及架构，以满足这些网络系统的需求。本文重点介绍针对网络应用提供的高级 SRAM 架构。此外，还介绍了如何区分采用不同 SRAM 架构的各种应用以及促使用户选择 SRAM 的标准。
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SRAM 存储器
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