- 基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。这些先进模型中加入了反向二极管恢复时间和电磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整体精度。参数可帮助工程师建立精确的电路和系统级仿真，并在原型设计前对电热及EMC性能进行评估。模型还有助于节省时间和资源，工程师此
- 关键字：
Nexperia 电热模型 MOSFET
- 一、测试工装准备1、P02SCT3040KR-EVK-001测试板2、电压源3、示波器4、负载仪二、测试项目进行1、安装 SIC后的空载波形SiC安装空载波形空板，空载GS 为100hz 25V 信号2、DCDC 在线测试1）空载测试驱动空载输出12V，gs驱动为200hz总宽度3.6uS的锥形信号2）加载 24转55V 2A dcdc驱动信号波形如下：带载 6.6k 15V驱动信号单脉冲宽度，3uS左右总结由于轻负载，温度始终未超过50度。开关速度方面优于硅基产品，以后有对应设备
- 关键字：
SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
- 测试设备①直流电源由于手上没有高电压的直流电源，只能使用一般的电源，且手上只有一个低压直流稳压源，所以这稳压电源既用于给开发板电源供电，又用于半桥母线电源。②电子负载半桥电源电源的输出负载，可恒流或者恒压或者恒负载，测试电源的带载能力非常好用。③信号发生器产生不同频率的可调制的方波信号，用于MOS管的驱动④示波器观察驱动信号、输出信号、MOS管的波形⑤万用表测量各测试点的电压⑥温度巡检仪测量带载后MOS管的温度测试拓扑将说明书中电路按照上述描述修改：两个直流电源换成CBB电容，在Hvdc母线上加上12V电
- 关键字：
SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
- 感谢ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001评估板，有幸参与评估板的测试。拿到评估板的第一感觉就是扎实，评估板四层PCB的板子厚度达到了30mm；高压区域也有明显的标识。
- 关键字：
SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
- 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。
- 关键字：
SiC 碳化硅 MOSFET
- 本文对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。
- 关键字：
SiC 碳化硅 SBD
- 反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
- 关键字：
SiC 碳化硅 SBD
- SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
- 关键字：
SiC 碳化硅
- 碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。本文来了解一下它的物理特性和特征。
- 关键字：
SiC 碳化硅
- 意法半导体（ST）作为全球领先的汽车半导体供应商之一，多年前就开始布局新能源汽车领域，在2019年正式成立新能源车技术创新中心，推出了SiC牵引电机逆变器的整体解决方案。该方案按照功能安全IS026262标准流程开发，满足ASIL D等级。基于AutoSAR的软件架构和模型化的软件算法，为客户前期方案评估和后续开发提供了便利，大大缩短了整个研发周期。
- 关键字：
SiC 碳化硅 牵引逆变器
- 电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散组件产品部（ADG）执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI说明，从图二可以看到由于全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标。 图二图三显示的是一些关于如何利用电力科技实现各种节能目标的具体数据，图中是对全球电力消耗状况的统计。仅就工业领域来说，如果能将电力利用效率提升1%，
- 关键字：
ST 碳化硅 汽车 工业 SiC
- 电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散组件产品部（ADG）执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标。 意法半导体汽车和离散组件产品部（ADG）执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI仅就工业领域来说，如果能将电力利用效率提升1%，就能节省95.
- 关键字：
ST GaN SiC
- 离线反激式电源在变压器初级侧需要有钳位电路（有时称为缓冲器），以在正常工作期间功率MOSFET开关关断时限制其两端的漏源极电压应力。设计钳位电路时可以采用不同的方法。低成本的无源网络可以有效地实现电压钳位，但在每个开关周期必须耗散钳位能量，这会降低效率。一种改进的方法就是对钳位和功率开关采用互补驱动的有源钳位技术，使得能效得以提高，但它们会对电源的工作模式带来限制（例如，无法工作于CCM工作模式）。为了克服互补有源钳位电路所带来的设计限制，可以采用另外一种更先进的控制技术，即非互补有源钳位。该技术可确保以
- 关键字：
MOSFET
sic-mosfet介绍
您好，目前还没有人创建词条sic-mosfet!
欢迎您创建该词条，阐述对sic-mosfet的理解，并与今后在此搜索sic-mosfet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
