2022年11月17日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用创新的顶部冷却，帮助设计人员解决具挑战的汽车应用，特别是电机控制和DC-DC转换。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封装，尺寸仅5mm x 7mm，在顶部有一个16.5 mm2的热焊盘，可以将热量直接散发到散热器上，而不是通过传统的印刷电路板（以下简称“PCB”）散热。采用TCPAK57封装能充分使用PCB的两面，减少PCB发热，从而提高功率密度
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安森美 Top Cool封装 MOSFET
在各种电源应用领域，例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等，人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛，已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶体管架构应运而生。在各种电源应用领域，例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等，人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛，已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而
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Digi-Key MOSFET
SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备应用中，SiC MOSFET模块可以满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求，实现系统的低损耗和小型化。东芝推出并已量产的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是这样的产品，其最大亮点是全SiC MOSFET模块，不同于只用SiC SBD（肖
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Toshiba MOSFET
在最近召开的EEVIA第十届年度中国硬科技媒体论坛暨2022产业链研创趋势展望研讨会上，来自英飞凌安全互联系统事业部的汽车级WiFi/BT及安全产品应用市场管理经理杨大稳以“英飞凌赋能未来汽车低碳化和数字化发展“为题，详细介绍了英飞凌在汽车电子领域的相关产品和未来趋势。 新能源车是全球汽车市场增长最快也是需求最旺盛的领域，特别是在中国这个全球产销第一的市场，2022年国有品牌汽车占据近一半的中国汽车市场份额，最大的驱动力是来自于新能源车和电动车。可以预想，随着政府和车厂的支持，电动车未来几年会迎
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英飞凌 SiC 电动汽车 无人驾驶
当前，全球主要国家和地区都已经宣布了“碳达峰”的时间表。在具体实现的过程中，轨道交通将是一个重要领域。由于用能方式近乎100%为电能，且带动大量基础设施建设，因此轨道交通的“碳达峰”虽然和工业的“碳达峰”路径有差异，但总体实现时间将较为接近。在中国，这个时间节点是2030年之前。当然，“碳达峰”在每一个领域都有狭义和广义的区分，比如在工业领域，一方面是重点企业自身通过节能+绿电的方式实现“碳达峰”，另一方面也需要围绕重点企业的产业链上下游全面实现能耗降低。对于轨道交通也是如此，狭义层面的轨交工具，以及广义
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Mouser SiC
绿色倡议持续推动工业、航空航天和国防应用，尤其是运输行业的电力电子系统设计转型。碳化硅（SiC）是引领这一趋势的核心技术，可提供多种新功能不断推动各种车辆和飞机实现电气化，从而减少温室气体（GHG）排放。 碳化硅解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置（APU）供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是，SiC技术最显著的贡献体现在其所肩负实现商用运输车辆电气化的使命上，这些车辆是世界上最大的GHG排放源之一。随着1700V金属
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碳化硅 SiC 电源管理 可配置数字栅极驱动 万物电气化
10月24日，士兰微发布公告称，近期，士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线，首个SiC器件芯片已投片成功，首批投片产品各项参数指标达到设计要求，项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试，目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。士兰微表示，公司目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，继续完成评测，即将向客户送样。据了解，2017年12月1
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士兰微 士兰明镓 SiC 功率器件
本文针对MOSFET的运作模式，组件方案，以及其应用范例进行说明，剖析标准MOSFET的基本原理、应用优势，与方案选择的应用思考。线性MOSFET是线性模式应用时最合适的选择，能够确保可靠的运作。然而，用于线性模式应用时，标准MOSFET容易产生电热不稳定性，从而可能导致组件损坏。A类音讯放大器、主动式DC-link放电、电池充放电、浪涌电流限制器、低电压直流马达控制或电子负载等线性模式应用，都要求功率 MOSFET组件在电流饱和区内运行。了解线性模式运作在功率 MOSFET 的线性工作模式下，高电压和高
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Littelfuse 线性功率 MOSFET
现阶段，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速，令这些器件所需功率急剧增加，直接导致向微处理器供电的稳压器模块(VRM)的升级需求：一是稳压器的功率密度（单位体积的功率）升级，为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度；另一是功率转换效率提升，高效率可降低功率损耗并改善热管理。目前电源行业一种公认的解决方案，是将先进的开关MOSFET（稳压器的主要组成部分）及其相应的驱动器集成到单个芯片中并采用高级封装，从而实现紧凑高效的功率转换。这种DrMOS功率级优化了高速功率转换。随着对这
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电源系统设计 单片驱动器 MOSFET DrMOS
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，MOSFET因此又被称为绝缘栅型场效应管。市面上大家所说的功率场效应晶体管通常指绝缘栅MOS型(Metal Oxide Semico
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MOSFET
现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz，工作频率再往上升，将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大；再者Qg的大小也会影响关断速度，而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体，虽然它们比硅更难制造及更昂贵，但也具有独特的优势和优越的特性，使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器
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GaN 氮化镓 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
REF-DAB11KIZSICSYS是一个CLLC谐振DC/DC转换器板，能够提供高达11kW的800 V输出电压，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性价比和功率密度更高。凭借其高效的双向功率变换能力和软开关特性，是电动汽车和能量存储系统（ESS）等DCDC项目的理想选择。 终端应用产品30 kW 至 150 kW 的充电机，50 kW 至 350 kW 的充电机，储能系统，电动汽车快速充电，功率转换系统 （PCS）►场景应用
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mosfet dc-dc 英飞凌 ipcdcdc infineon 终端 功率 dc 充电器
智能化便携式电子设备诸如智能手机、笔记本电脑、平板电脑等的不断更新换代，功能越来越丰富，随之带来了耗电量急剧上升的挑战。然而，在现有电池能量密度还未取得突破性进展的背景下，人们开始探索更快的电量补给，以高效充电来压缩充电时间，降低充电的时间成本，从而换取设备的便携性，提升用户体验。目前，USB-PD是最为主流的快充技术。该技术标准具有18W、20W、35W、65W和140W等多种功率规格，以及5V、9V、12V和20V等多种电压输出。灵活的电压电流输出配置让各种电子设备都能通过一条USB-TYPE C线缆
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上海贝岭 驱动IC MOSFET
随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型，电子工程师面临降低牵引逆变器功率损耗和提高系统效率的压力，这样可以延长行驶里程并在市场中获得竞争优势。功率损耗越低则效率越高，因为它会影响系统热性能，进而影响系统重量、尺寸和成本。随着开发的逆变器功率级别更高，每辆汽车的电机数量增加，以及卡车朝着纯电动的方向发展，人们将持续要求降低系统功率损耗。过去，牵引逆变器使用绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。然而，随着半导体技术的进步，碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管具有比IGBT更高
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TI 功能安全 栅极驱动器 SiC 逆变器
2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率，同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC
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贸泽 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
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