b触点型“PhotoMOS”的开发
随着PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的优势被广泛了解，人们将其用于信息通信设备、OA设备、FA设备及其他广泛的领域。为了满足大众进一步的需求，本公司开发出了“可通过机械实现、并拥有所有触点构成(b触点、c触点)”的PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器。
为实现该产品的开发，我们在功率MOSFET制造工艺中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
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Panasonic MOSFET PhotoMOS
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布推出汽车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，适合D 类音频系统输出级等高频开关应用。
新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 适用于汽车 D 类音频系统的 DirectFET®2 功率 MOSFET 阵营，并利用低栅极电荷 (Qg) 作出优化，来改善总谐波失真
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IR MOSFET
采用功率MOSFET及其驱动器和光纤收发器件，研究了激光触发开关脉冲功率源控制技术中的快上升沿(≤5 ns)触发信号产生、驱动、传输及光纤隔离、高耐压脉冲变压器使用等关键技术。给出了激光器外触发控制电路的设计及测试结果，并对其应用特点进行了分析和讨论。
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MOSFET 激光器 触发系统
Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封装的双极晶体管 (BJT)、MOSFET和瞬态抑制二极管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超过采用更大封装的器件。
Diodes SOT963的占板面积仅有0.7 mm2，比SOT723封装少30%，比SOT563封装少60%，适合低功耗应用。占板面积节省加上0.5 mm的离板高度，让Diodes 的 SOT963 封装器件能够满足各种超便携式电子产品的要求。
现阶段推出的SOT963封装产品线包括6款通用双极双晶体管组合、3款小信号双MOS
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Diodes MOSFET BJT TVS
我们先来看看MOS关模型：
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MOSFET 驱动器 功耗计算
之前，我们介绍了如何对正向转换器输出整流器开启期间两端的电压进行缓冲。现在，我们来研究如何对反向转换器的 FET 关断电压进行缓冲。图 1 显示了反向转换器功率级和一次侧 MOSFET 电压波形。该转换器将能量存储于
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转换器 缓冲 设计 MOSFET TI 德州仪器
前言:
Panasonic电工的“PhotoMOS”是一款采用光电元件以及功率MOSFET进行输出的输出光电耦合器。面试二十年间，在全世界的销量达到八亿个，堪称是一款销售成绩骄人的商品。“PhotoMOS”满足了小型·轻量·薄形化的需求，作为适应电子化的输出光电耦合器，增加了①高灵敏性、高速响应;②从传感器输入信号水平到高频的控制;③从声音信号到高频用途的对应;④高可靠性和长使用寿命;⑤可进行表面安装的SMD型;⑥多功能
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松下电工 MOSFET PhotoMOS 光电耦合器
英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为180A，而通态电阻仅为0.9毫欧。采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0，可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。
基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T
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英飞凌 MOSFET
英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为180A，而通态电阻仅为0.9毫欧。采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0，可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。
基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T2器件成为大
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英飞凌 MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布拓展了针对低导通电阻(RDS(on))应用的汽车用功率 MOSFET 专用系列，包括车载电源及内燃机 (ICE) 、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。
新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的电压下可提供低达 2.6 mΩ 的导通电阻，可以承受 40V 至100V 的电压，并涵盖了此前推出的 75V 产品。当中一些具有更高电压的器件非常适用于 24V 卡车系统，采用 D2Pak-7P
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IR MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET --- Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可减少在便携式电子产品中占用的空间。
随着便携式产品变得愈加小巧，器件的尺寸成为选择器件的重要因素，因为按键和电池占用了大部分空间，使PCB的面积受到极大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
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Vishay MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电信设备等应用。
新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中压硅技术，通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。
IR
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IR MOSFET HEXFET
2010年6月8日，由中国电子技术权威杂志《电子产品世界》举办的“2009年度电源产品评选”活动在“第七届绿色电源与电源管理技术研讨会”举行了颁奖典礼。社长陈秋娜女士宣布了最终的获奖结果，中国电源学会常务理事长李龙文和陈秋娜女士分别为获奖厂商代表进行颁奖。本次活动中共收到来自近20家国内外电源厂商提交的五大类别60多款产品，经网上票选和专家测评最终的分别选出最佳创新奖和最佳应用奖获奖产品，另外还同时从所有参选产品中特别评选出了两款绿色电源奖产品奖。
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电源管理 MOSFET LED驱动
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。
这三款器件的低导通电阻意味着更低的功率损耗，从而在各种应用的功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调
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Vishay MOSFET
包括德仪、 英飞凌、国家半导体(NS)、安森美(On Semi)等IDM厂，开出高于业界水平价格，包下 台积电、 联电、世界先进等晶圆代工产能，成熟制程产能不足问题，已对立锜、致新等台湾模拟IC业者造成排挤效应。为了避免下半年旺季时无货可出，台湾业者只能松口答应调涨代工价10%至15%不等幅度，以便争取到更多产能。
下半年将进入手机及计算机销售旺季，不论市场是否对市场需求有所疑虑，但业界仍认为旺季仍会有旺季应有表现，至少第3季的手机、笔电、消费性电子产品等出货量，与去年同期相较仍有2成至3成的年
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飞思卡尔 MOSFET 模拟IC
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