- 本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。 数据表中的参数分为两类:即最大额定值和电气特性值。
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MOSFET 数据表
- 本文主要介绍瑞萨电子(又称：Renesas)高压MOS在客户电源等产品开发时的选型以及特性的说明，为客户的产品开发提供参考性的设计意见。
MOSFET以其电压控制、开关频率高、开关速度快等优点，广泛应用于电源等产品中。Renesas高压MOS涵盖漏源电压(VDSS)等级600V、800V、900V、1400V，具有极低的RDS(ON)和丰富的封装系列，应用十分广泛。
MOSFET最重要的两个参数是漏源电压(VDSS)和导通电阻RDS(ON)。电流值和最大耗散功率值必须仔细观察，因为它们只有
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Renesas MOSFET
- 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS产品，一款集成高压MOSFET并可实现功率因数校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用创新的控制方案，可提高轻载条件下的效率。此外，与使用分立式MOSFET和控制器的设计相比，HiperPFS器件能大幅减少元件数和缩小电路板占用面积，同时简化系统设计并增强可靠性。HiperPFS器件采用极为紧凑的薄型eSIPä封装，适合75 W至1 kW的PFC应用。
欧洲
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PI HiperPFS MOSFET 控制器芯片
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷减小到216nC，采用TO-247封装。
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Vishay Siliconix MOSFET
- Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件，扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脉冲电流，以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。该器件能够满足基于变压器的用户线路接口电路 (SLIC) 直流/直流转换器对基本切换功能的严格要求。
Diodes 这次推出的四款产品提供四种不同的行业标准封装选择，包括：SOT223封装的DMN606
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Diodes MOSFET
- 在由Xilinx主办的会议上市调公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有关全球ASIC市场的报告。Semico对于传统的ASIC市场将只有低增长的预测,而可编程逻辑电路(PLD)在带宽与可移动联结等日益增长的需求推动下将有大的发展。
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Xilinx Semico SIC
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布拓展了车用DirectFET®2功率MOSFET系列。该系列具有非常出色的功率密度、双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻，适用于重负载应用，包括电动助力转向系统、电源、混合动力汽车的电池开关、微型混合动力汽车的集成起动发电机系统等。
与传统的标准塑料封装器件相比，IR 的车用 DirectFET®2 器件可以实现整个系统级尺寸和更低的成本，以及超高的性
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IR MOSFET
- 当维持相同的结点温度时，可以获得更高的输出功率和改善功率密度。另外，散热能力的提高使得电路在提供额定电流的同时，还可以额外提供不超过额定电流50%的更高电流，并使器件工作在更低的温度、减少发热对其他器件的影响，也提高了系统的可靠性。
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技术 MOSFET 封装 新型 供电 需求 满足
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装。
SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
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Vishay MOSFET
- 金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后，MOSFET快速的发展
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MOSFET 双峰效 方法
- Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件，扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脉冲电流，以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。该器件能够满足基于变压器的用户线路接口电路 (SLIC) 直流/直流转换器对基本切换功能的严格要求。
Diodes 这次推出的四款产品提供四种不同的行业标准封装选择，包括：SOT223封装的DMN606
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Diodes MOSFET
- 功率MOSFET作为双极晶体管的替代品最早出现于1976年。与那些少数载流子器件相比，这些多数载流子器件速度更快、更坚固，并且具有更高的电流增益。因此开关型电源转换技术得以真正商用化。早期台式电脑的AC/DC开关电
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领域 应用 转换 电源 MOSFET 功率
- 前言
Panansonic电工的PhotoMOS在输出中采用了光电元件和功率MOSFET，是作为微小模拟信号用而开发出的SSD，以高功能型的HF型为首，正逐步扩展系列，如通用型的GU型、高频型的RF型。
上次介绍了PhotoMOS的概要，此次将介绍内置在PhotoMOS中构成控制电路的独特的光电元件的特点、构造、布线等。
FET型MOSFET输出光电耦合器的基本电路
图1是PhotoMOS中具有代表性的、即所谓的FET型MOSFET输出光电耦合器的最基本电路。在该电路中由于输出
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Panansonic PhotoMOS MOSFET
- 高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET(金属氧化物半导体晶体管)产品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新产品作为面向DC/DC转换器的功率半导体器件，主要面向计算机服务器和笔记本电脑等的应用。
本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存储器的电压转换电路。例如，可作为降压电路，用于将电池提供的12V电压转换为1.05V，以便为CPU所用。随着公司进一步推进
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瑞萨电子 MOSFET
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