首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> sic mosfet

sic mosfet 文章 进入sic mosfet技术社区

设计高效高可靠LED灯具的五个忠告

  •   进入2011年,澳大利亚已经率先禁止使用白炽灯,这为LED灯具的大规模普及揭开了序幕,另外,随着欧盟各国、日本、加拿大等国家将在2012年禁止使用白炽灯,LED灯具的照明普及率会进一步提升,这让掘金绿色照明革命的中国数千家LED灯具厂商欢欣鼓舞――因为一个巨大的市场就要开启,而这次唱主角的是中国厂商。不过,应当看到,LED灯具要普及,不但需要大幅度降低成本,更需要解决能效和可靠性的难题,如何解决这些难题,Power Integrations市场营销副总裁Doug Bailey分享了高效高可靠LED灯具
  • 关键字: PI  MOSFET  LED  

利用屏蔽栅极功率 MOSFET 技术降低传导和开关损耗

大电流便携式DC/DC变换中MOSFET功耗的计算

  • 0 引言 众所周知,今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。近年来,内核CPU所需的电源电流每两年就翻一番,即便携式内核CPU电源电流需求会高达40A之大,而电压在0.9V和1.75
  • 关键字: 功耗  计算  MOSFET  变换  便携式  DC/DC  电流  

功率MOSFET雪崩击穿问题分析

  • 摘要:分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因,以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比,反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用,而电气量变化却十分复杂。寄生器件在
  • 关键字: 问题  分析  击穿  雪崩  MOSFET  功率  

Vishay推出第三代TrenchFET®功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装,具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。   
  • 关键字: Vishay  MOSFET  SiA923EDJ  

MOSFET基础:理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性

  • 通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温...
  • 关键字: MOSFET  RDS  

Vishay推出新的100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款新的100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技术,在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。
  • 关键字: Vishay  MOSFET  

DC/DC 控制器驱动5V 逻辑电平 MOSFET 以实现高效率

  • 近日(2010年11月2日)凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出窄/宽输入电压范围(2.7V至5...
  • 关键字: MOSFET  

IR新款高性能PQFN功率MOSFET系列

  • 全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出一系列25V及3...
  • 关键字: MOSFET  

Linear 推出 LTC4444/-5 的 H 级版本

  •   凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。该驱动器与功率 MOSFET 以及凌力尔特公司很多 DC/DC 控制器之一相结合,可构成完整的高效率同步稳压器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的节温范围内工作,而 I 级版本的工作温度范
  • 关键字: Linear  MOSFET   

利用低门限电压延长电池寿命

  •         降低能量消耗、延长电池寿命,这是每个工程师在设计便携式电子产品时努力的目标。电池技术的进步非常缓慢,所以便携式产品的设计者把延长电池寿命的重点放在电源管理上。多年以来,从事电源管理业务的半导体制造商尽力跟上终端系统用户的需求。越来越多的便携式电子产品在功能上花样翻新,这些产品需要峰值性能,要求设计者在设备的物理尺度内实现尽可能高的效率。虽然电池行业努力开发具有比传统镍镉(NiCd)电池电量更高的替代电池技术,但还远不能满
  • 关键字: Vishay  MOSFET  

用创新封装简化电源设计

  •          今天,电源工程师面临的一个主要挑战是如何减小商用电子产品中电源电路的电路板空间。在任何电子产品零售商店里转上一圈,你就会发现个人电脑已经变得更小,甚至小型化已经成为许多电子设备的发展趋势。随着这些产品的尺寸不断减小,它们的功能正在增加。在更小的空间内实现更多功能,意味着要缩小留给电源电路的面积,这会导致一系列热、功率损耗和布局方面的严峻挑战。   工程师应对这种挑战的一个办法是利用在MOSFET硅技术和封装
  • 关键字: 电源设计  MOSFET  PowerPAIR  

利用SiC大幅实现小型化 安川电机试制新型EV行驶系统

  • 安川电机试制出了利用SiC功率元件的电动汽车(EV)行驶系统(图1)。该系统由行驶马达及马达的驱动部构成。通过...
  • 关键字: 安川电机  EV行驶系统  SiC  

英飞凌第35亿颗高压MOSFET顺利下线

  •   英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构,使得CoolMOS晶体管技术不断优化,这为取得成功奠定了坚实基础。   
  • 关键字: 英飞凌  MOSFET  

安森美半导体推出6款单通道功率MOSFET

  •   应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET,用于汽车模块,采用小型扁平引脚(FL)封装。   
  • 关键字: 安森美  MOSFET  
共1660条 90/111 |‹ « 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 » ›|

sic mosfet介绍

您好,目前还没有人创建词条sic mosfet!
欢迎您创建该词条,阐述对sic mosfet的理解,并与今后在此搜索sic mosfet的朋友们分享。    创建词条

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473