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sic mosfet 文章 进入sic mosfet技术社区

iSuppli:部分芯片产品交货期拉长至20周

  •   市场研究机构iSuppli指出,部分模拟、逻辑、内存与电源管理IC 出现严重缺货现象,导致价格上扬与交货期延长至“令人担忧的程度”。“当交货期来到20周左右的水平,意味着零组件供应端与需求端出现了很大的差异;”追踪半导体与零组件价格的iSuppli资深分析师Rick Pierson表示。   当零组件供应端出现吃紧情况,对照目前正处于复苏状态的市场,或许并不令人惊讶;Pierson指出,特定的市场与价格也激化各种零组件领域出现不同程度的短缺。根据iSu
  • 关键字: 电源管理  MOSFET   

Vishay Siliconix推出新款ThunderFET 功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用热增强型PowerPAK® SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下,该器件的典型导通电
  • 关键字: Vishay  MOSFET  SiR880DP  

IR 拓展了中压功率 MOSFET 产品组合推出采用 PQFN 封装和铜夹技术的新产品

  •   国际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合,提供完整的中压器件系列,它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。   新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能,适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源(SMPS)及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压,所以可提供不同水平的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),为客户的特定应用提供
  • 关键字: IR  MOSFET  HEXFET  

IR拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合

  •   国际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合,提供完整的中压器件系列,它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。   新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能,适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源(SMPS)及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压,所以可提供不同水平的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),为客户的特定应用提供
  • 关键字: IR  MOSFET  HEXFET  

英飞凌推出CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列

  •   英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。   CoolMOS™ C6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650V CoolMOS™ C6/E6器件具备快速、可控的开关性能,
  • 关键字: 英飞凌  CoolMOS  MOSFET  

TI推出可在25A电流下实现超过90%高效率的同步MOSFET半桥

  •   德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥,其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET 进行完美整合,可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。更多详情,敬请访问:www.ti.com.cn/powerblock-prcn。   NexF
  • 关键字: TI  MOSFET  NexFET  CSD86350Q5D   

Vishay发布助客户进一步节约器件占位空间和系统成本的解决方案的视频教程

  •   日前, Vishay Intertechnology, Inc.宣布,为帮助客户了解在一个小尺寸器件内组合封装的高边和低边MOSFET如何节省DC-DC转换器的空间和成本,该公司在其网站(http://www.vishay.com)上新增了一个流媒体视频,展示SiZ700DT PowerPAIR®双芯片不对称功率MOSFET解决方案。   传统上,设计者要在笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器和游戏机,以及工业系统的DC-DC转换中实现系统电源、POL、低电流DC-DC和同步降压转换
  • 关键字: Vishay  MOSFET  DC-DC  转换器  

英飞凌推出下一代CoolMOS MOSFET C6系列

  •   英飞凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件,诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻(例如采用TO-220封装,电阻仅为99毫欧)在内的补偿器件的优势,同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。   C6系列是英飞凌推
  • 关键字: 英飞凌  MOSFET  CoolMOS  C6  

飞兆推出30V MOSFET器件FDMS7650

  •   飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件,采用Power 56封装,型号为 FDMS7650。FDMS7650 可以用作负载开关或ORing FET,为服务器中心 (server farm) 在许多电源并行安排的情况下提供分担负载功能。FET的连续导通特性,可降低功耗和提高效率,以提升服务器中心的总体效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封装以突破1
  • 关键字: Fairchild  MOSFET  FDMS7650  

TI 推出一款同步 MOSFET 半桥

  •   德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥,其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET 进行完美整合,可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。   NexFET 功率模块除提高效率与功率密度外,还能够以高达 1.5 MHz 的开关频率生
  • 关键字: TI  MOSFET  

Vishay改进ThermaSim在线MOSFET热仿真工具

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,对其ThermaSim在线MOSFET热仿真工具进行了改进,为设计者提供更好的仿真精度、效率和用户友好度。   Vishay的ThermaSim是一个免费工具,可让设计者在制造原型前,对器件进行细致的热仿真,从而加快产品上市。ThermaSim是首款使用结构复杂的功率MOSFET模型的在线MOSFET仿真工具,使用有限元分析(FEA)技术生成的MOSFET模型提高了仿真精度。   设计者还可以定义其他散热器件,并仿真这些元器件对M
  • 关键字: Vishay  热仿真工具  MOSFET  ThermaSim  

功率半导体行业的春天

  •   功率半导体下游需求旺盛,发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强,iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元,增长率达到23.2%.   MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元,MOSFET的销售额占全部功率半导体的比重大约为20%,MOSFET主要应用于消费电子、计算机、工业控制、网络通信、汽车电子和电力设备六大领域。   IGBT:节能减排的先锋。2007年全球IGBT的销售额大约为31.36亿美元,IGBT的销售额占全部功率半
  • 关键字: MOSFET  IGBT  功率半导体  

功率半导体下游需求旺盛 前景看好

  •   功率半导体下游需求旺盛,发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强,iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为 2833亿美元,增长率达到23.2%。   MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元,MOSFET的销售额占全部功率半导体的比重大约为20%,MOSFET主要应用于消费电子、计算机、工业控制、网络通信、汽车电子和电力设备六大领域。   IGBT:节能减排的先锋。2007年全球IGBT的销售额大约为31.36亿美元,IGBT的销售额占全部功率
  • 关键字: MOSFET  IGBT  

Maxim推出内置MOSFET的供电设备(PSE)控制器

  •   Maxim推出单端口、供电设备(PSE)控制器MAX5971A,适用于IEEE® 802.3af/at兼容的大功率以太网供电(PoE+)应用。器件集成导通电阻为0.5Ω的功率MOSFET和检测电阻,有效节省了空间和成本,能够为IP电话、IP照相机、无线LAN接入点以及视频监控照相机等用电设备(PD)提供每端口高达40W的功率。   MAX5971A完全兼容IEEE 802.3af和IEEE 802.3at标准。器件工作在32V至60V电压范围,为IEEE 802.3af/at兼容
  • 关键字: Maxim  控制器  MOSFET  
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