近年来，出于地球温室化对策和减少空气污染的考虑，对汽车的环保性能要求越来越高。世界各国均已制定了新能源汽车的开发和引进计划，未来新能源汽车的普及将会进一步加速。其中，中国新能源汽车市场发展势头最为迅猛。随着中国新能源汽车市场的迅速壮大和新能源汽车技术的快速发展，越来越多的中国新能源汽车品牌开始走出国门，投身到波澜壮阔的世界新能源汽车市场。 作为全球知名半导体制造商， ROHM一直以来都将汽车市场为主要目标领域，通过开发并提供SiC元器件、电源IC、控制IC等满足最新汽车电子化需求的创新型高
关键字：
ROHM SiC
随着技术的不断更新换代，以及电动汽车市场的巨大助力，SiC产品有望迎来快速增长期。
关键字：
电动汽车 SiC
近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。
通常，国际上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势，特别在抗高电压、高温等方面性能尤为明显，由于第三代半导体材料的制造装备对设备真空度、高温加热性能、温度控制精度以及高性能温场分布、设备可靠性等直接影响SiC单晶衬底质量和成品率的关键技术有很高的
关键字：
半导体 SiC
摘要 本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆，让系统具更高的能效，对市场上现有系统设计影响较大。 前言 市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高，而硅器件理论上正在接近性能上限。 宽带隙半导体器件因电、热、机械等各项性能表现俱佳而被业界看好，被认为是硅半导体器件的替代技术。在这些新材料中，兼容硅
关键字：
MOSFET SiC
接近62%的能源被白白浪费
美国制造创新网络(目前称为MgfUSA)已经阐明了美国制造业规划的聚焦点在材料与能源。清洁能源智能制造CESMII中的清洁能源与能源互联网自不必说，而在复合材料IACMI和轻量化研究院LIFT中都关注到了汽车减重设计，本身也是为了降低能源消耗的问题。在美国第二个创新研究院“美国电力创新研究院” Power Amercia(PA)其关注点同样在于能源的问题。这是一个关于巨大的能源市场的创新中心。
图1：整体的能源转换效率约在38
关键字：
SiC GaN
近年来，SiC(碳化硅)因其优异的节能效果和对产品小型化、轻量化的贡献，在新能源汽车、城市基础设施、环境/能源，以及工业设备领域的应用日益广泛。与同等额定电流的IGBT产品相比，SiC产品凭借更低的开关损耗，可实现设备中冷却机构的小型化。同时，通过更高频率的开关动作，还可实现线圈和电容器等周边元器件的小型化。可见，SiC是可以同时实现设备节能化、小型化和轻量化的“理想的元器件”。
关键字：
ROHM SiC 汽车
在经过多年的疑虑和犹豫之后，SiC器件终于迎来了春天。
关键字：
SiC Cree
SiC在电源转换器的尺寸、重量和/或能效等方面具有优势。当然，要进行大批量生产，逆变器除了静态和动态性能之外，还必须具备适当的可靠性，以及足够的阈值电压和以应用为导向的短路耐受能力等。可与IGBT兼容的VGS=15V导通驱动电压，以便从IGBT轻松改用SiC MOSFET解决方案。英飞凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可满足这些要求。
关键字：
电源转换器 SiC MOSFET 逆变器 201707
人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了.
关键字：
SiC 集成技术 生物电信号 采集方案
人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何
关键字：
EEG SiC 生物电信号采集 IMEC
GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代
关键字：
GaN SiC 第三代半导体材料
<概要> 全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备用的电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出额定1200V 400A、600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。 本产品通过ROHM独有的模块内部结构及散热设计优化，实现了600A额定电流，由此，在工业设备用大容量电源等更大功率产品中的应用成为可能。另外，与普通的同等额定电流的IGBT模块相比，开关损耗降低了64%(芯片温度150℃时)，这非常有助于应
关键字：
ROHM SiC
汽车功率电子产品正成为半导体行业的关键驱动因素之一。这些电子产品包括功率元器件，是支撑新型电动汽车续航里程达到至少200英里的核心部件。
虽然智能手机的出货量远高于汽车(2015年为14亿部[1]，汽车销量为8,800万辆[2])，但汽车的半导体零件含量却高得多。汽车功率IC稳健增长，2015-2020年该行业的年复合增长率预计将达8%[3]。尤其是电池驱动的电动汽车在该行业成为强劲增长推动力，2015年5月Teardown.com针对宝马i3电动车的报告显示，该车型物料清单中包含100多个电源
关键字：
SiC GaN
虽然智能手机的出货量远高于汽车(2015年为14亿部[1]，汽车销量为8,800万辆[2])，但汽车的半导体零件含量却高得多。汽车功率IC稳健增长，2015 - 2020年该行业的年复合增长率预计将达8%[3]。尤其是电池驱动的电动汽车在该行业成为强劲增长推动力，2015年5月Teardown.com针对宝马i3电动车的报告显示，该车型物料清单中包含100多个电源相关芯片。 与遵循摩尔定律不断缩小尺寸的先进逻辑晶体管不同，功率元器件FET通常运用更老的技术节点，使用200毫米(和
关键字：
SiC GaN
与市场的不同的观点:传统观点认为功率半导体竞争格局固定,技术升级步伐相对缓慢,与集成电路产业的重要性不可同日而语,中泰电子认为随着新能源车和高端工控对新型功率器件的需求爆发,功率半导体的产业地位正在逐步提升,其重要性不亚于规模更大的“集成电路”。大陆半导体产业的崛起需要“两条腿走路”(集成电路+功率器件),由于功率半导体的重要性被长期低估,我国功率半导体产业存在规模小、技术落后、品类不全等诸多不足,适逢我国半导体投融资渐入高峰期,行业龙头有望率先受益。大
关键字：
功率半导体 SiC
sic mosfet模型介绍
您好，目前还没有人创建词条sic mosfet模型!
欢迎您创建该词条，阐述对sic mosfet模型的理解，并与今后在此搜索sic mosfet模型的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473