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HOLTEK新推出HT46F47E于A/D型Flash MCU
- 03/03/2008讯,HOLTEK半导体继I/O型Flash MCU之后，推出A/D型Flash MCU HT46F47E。HT46F47E的程序内存可以透过ISP (In-System-Programming) 接口直接对已制造好的产品进行MCU程序内存的烧录，且烧录次数可达十万次，此项特性让客户能够很容易地做产品的软件更新，因而能够缩短产品的上市时间，并可提供更好的售后服务。例如客户可以在产品出货前烧录最新版的程序及调校参数，不需受限于烧录次数；在产品售出后可以很方便地做软件升级，提供更高的附加
- 关键字： Flash MCU
ZigBee技术 无线传感器网络节点 MCl3192 LPC2138
- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208为例，对比NAND Flash和NOR Flash的异同;介绍大容量NAND Flash在uPSD3234A增强型单片机系统中的应用，完成了硬件接口设计和软件设计，并给出硬件连接图和部分程序代码。 关键词 NAND Flash uPSD3234A单片机嵌入式系统 1 NAND Flash和NOR Flash 闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点，被广泛地应用于手
- 关键字： NAND Flash uPSD3234A单片机嵌入式系统
NAND Flash上均匀损耗与掉电恢复在线测试
- 摘要 NAND Flash以其大容量、低价格等优势迅速成为嵌入式系统存储的新宠，因此其上的文件系统研究也日益广泛，本文简要介绍了常用的NAND Flash文件系统YAFFS，并针对YAFFS在均匀损耗和掉电恢复方面进行在线测试。在给出测试结果的同时，着重研究嵌入式软件测试方案和方法;对测试结果进行分析，并提出改进方案和适用环境。 关键词 NAND Flash 均匀损耗 软件测试 YAFFS 引 言 随着嵌入式技术在各种电子产品中的广泛应用，嵌入式系统中的数据存储和管理已经成为一个重要
- 关键字： NAND Flash 均匀损耗 软件测试 YAFFS
Flash 单片机自编程技术的探讨
- 核心器件: MSP430 1 MSP430芯片Flash存储器的结构 Flash存储器模块是一个可独立操作的物理存储器单元。全部模块安排在同一个线性地址空间中，一个
- 关键字： Flash 单片机 自编程
NAND和NOR flash详解
- NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
- 关键字： NAND NOR flash
TMS320C64x的16-bit Flash加载的可行性分析与实现
- l 引言 在仿真环境下调试DSP板程序之后，还有一项重要的工作要做：怎样实现程序代码的脱机加载。TMS320C6000系列DSP提供了3种引导方式：不加载、HPI加载以及Flash (ROM)加载。实际应用中，多采用外接Flash来加载程序代码。此种方法简单、灵活、成本低，因而受到广大工程技术人员的青睐。由于开发的DSP系统应用板最终要脱离仿真器独立运行，而TMS320C64x系列DSP本身不带这样的存储体，掉电后程序及数据就会丢失。这就需要1个能在断电后保存程序及初始化数据的存储体。Flash
- 关键字： TMS320C64x Flash
内存产业2008年再缠斗 战线不断扩大
- 快闪内存产业的发展在2007年有点出乎各界意料，整个产业的高点反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺货所苦，大家的发展反而绑手绑脚，一路往下滑;2007下半年不但没有传统的消费性电子产品旺季出现，反而NAND Flash价格剧烈的忽上忽下，可说是一团混乱，终于2007年第四季面临了NAND Flash崩跌走势，虽然大家对于「寒流」来袭，都已有心理准备，但仍是不敢大意。 TRI观点： 2007年内存产业的变化多端，出乎大家的意料，然而其中影响甚巨的一个事件，就是Samsun
- 关键字： 内存 NAND Flash MCU和嵌入式微处理器
2008：巨型晶圆厂初露锋芒
- 以DRAM和Flash为代表的存储器平均销售价格(ASP)自去年年初以来经历了令人震惊的下滑。随着现货价格与合约价格不断创下新低，价格压力充斥着整个上一季度。由于价格走低，对于NAND闪存等存储器的需求正在升温。呈井喷之势的预测数字显示出我们当前正处在黎明前的黑暗阶段，一个巨大而不断增长的市场即将出现。某些预测显示NAND闪存需求量将从2006年7,370亿兆字节增长至2011年的33.5万亿兆字节。 大举扩产NAND闪存 低价同时也推动了需求的增长，使得部分厂商出现供给不足。以东芝(To
- 关键字： DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微处理器
NAND Flash进军NB/PC应用领域 借以扩大市占率
- 拓墣产业研究所(Topology Research Institute)针对NAND Flash应用市场发表研究报告指出，2008年起，除了由原手持式消费电子产品将继续大量采用NAND Flash作为储存装置外，NAND Flash将通过NB与PC的采用，以混合式硬盘或固态硬盘(SSD)的产品型态，逐步扩大市场占有率，市场需求将从2007年的6.7%增长至15.3%。 拓墣表示，NAND Flash在过去几年快速扩充产品应用领域，从2004年产品应用比例最高的数码相机，到2006年MP3 Pla
- 关键字： NAND Flash SSD MCU和嵌入式微处理器
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