- 茂德再度启动2次减资计划，继2010年4月宣布减资65%后，2011年7月6日董事会中再度通过减资85%，预计将在第3季底前完成减资程序，之后将办理增资引进策略性投资人，市场屡次点名的老面孔鸿海、联电等大型集团，再度被提出来讨论。
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茂德 DRAM
- 最近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极，但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年第一季度DRAM产业的加权平均节点从2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推动DRAM技术迁移的力度在增大。。在此期间，成本降幅从7.8%增大至14.2%，晶圆成本下降情况与光刻工艺的变化相符。据IHS iSuppli公司的研究，随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术，该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。
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Inotera DRAM
- 存储器产业度过辛苦的第2季后，第3季景气恐没有这么快复苏，业界预期NAND Flash产业景气在第3季中之后，会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬，但业界对于DRAM市场看法则是分歧，7月合约价续跌已成定局，部分业者认为8月中开始价格可止跌，但另一派业者则认为DRAM报价到年底都不会反转，且恐有续跌的可能性，整体来看，下半年NAND Flash景气微幅优于DRAM产业，但好日子也不会维持太长。
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存储器 DRAM
- 联想集团4日宣布，日本最大的个人电脑集团——NEC联想日本集团正式宣告成立。数据显示，新集团将占据日本PC市场近25%的份额。
NEC联想日本集团由三家公司组成：控股公司为联想NEC控股公司，于7月1日成立;其下有两家全资子公司——NEC个人电脑有限公司和联想日本有限公司。其中，NEC个人电脑有限公司是从NEC个人产品有限公司分拆个人电脑业务而新成立的公司。联想已通过发行股票向NEC支付了1.75亿美元，完成这项交易。
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联想 PC
- 据IHS iSuppli公司的研究，随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术，该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。
虽然最近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极，但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年第一季度该产业的加权平均节点从2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推动DRAM技术迁移的力度增大。在此期间，成本降幅从7.8%增大至14.2%，晶圆成本下降情况与光刻工艺的变化相符。
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DRAM 50纳米
- 茂德申请负债降息暂化解当前财务危机后，引进新资金成为当务之急，业界已传出多组人马正评估有条件投资茂德，或对旗下中科12吋晶圆厂有兴趣，近期已有第1个出价者浮现，内存业界传出世界先进出价新台币100亿元，想买茂德12吋厂，且推测背后应是获得台积电默许，主要系因驱动IC未来采12吋厂生产较具成本优势，世界先进可趁此机会捡便宜。不过，茂德和世界先进对此事都予以否认。
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茂德中科 DRAM
- 瑞晶董事会日前通过30纳米制程转换资本支出18.15亿元决议案，并冲刺单月产能到年底达到8.8万片，成为迈向30纳米制程进展最快的台系DRAM厂。此外，董事会也通过，向台湾欧力士公司申请机器设备售后租回融资约10亿元，持续添购重要半导体制程设备如ASML的浸润机台等。
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瑞晶 DRAM
- 力成科技积极自内存封测业务往先进封装技术布局，继先前买下茂德厂房以作为实验工厂后，转投资公司聚成科技的新竹厂也在3月动土，预计2012年第3季装机试产。力成董事长蔡笃恭表示，实验工厂以开发新技术为主，包括晶圆级封装、3D IC及铜柱凸块等，估计开发时程约1年，届时新竹厂正好开始启用，新产品效益可望适时于2012~2013年发酵。
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封装 DRAM
- 华芯半导体公司市场营销部经理殷和国6月28日在深圳集成电器创新应用展上对《第一财经日报》透露，预计今年内存芯片业务(DRAM)将为公司带来超过1亿元的收入。
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华芯 DRAM
- 据IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市场份额稳定在85-90%，2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术，随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。2011年DRAM模组出货量将达8.08亿个左右，预计DDR3将占89%，高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模组是包含DRAM芯片的封装，用于PC和其它电子产品之中。
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DDR4 DRAM
- 记者24日从英特尔媒体沟通会上获悉，2012年，中国将成英特尔全球最大的单一PC消费市场。
在北京IDF2011(英特尔信息技术峰会)上，英特尔曾引述了一个嵌入式市场的数据：将近四分之一的英特尔嵌入式业务来自中国。
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英特尔 PC
- 日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用穿硅互连技术(TSV)制作的DDR3 SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通过TSV三维堆叠技术封装为一块8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相当1GB容量)，该三维芯片中还集成了接口功能芯片。
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尔必达 DRAM
- 据IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市场份额稳定在85-90%，2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术，随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。
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DDR3 DRAM
- 日本半导体巨头尔必达及其子公司秋田尔必达22日宣布，已开发出全球最薄的动态随机存储器(DRAM)，4块叠加厚度仅为0.8毫米。
超薄DRAM将有助于减少智能手机等移动设备的厚度，增大其容量。制造成本则和目前厚度1毫米的DRAM相同。
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尔必达 DRAM
- 据国外媒体报道，美国存储芯片制造商Rambus在周一加利福尼亚州开审的反垄断诉讼案中指出，韩国存储芯片制造商海力士和美国存储芯片制造商美光科技曾使用了“非法的阴谋”，欲将Rambus赶出计算机存储芯片市场。Rambus在此诉讼案中，针对海力士和美光科技侵犯公司DRAM存储芯片的行为，提出了高达129亿美元的索赔要求。Rambus表示，依据加利福尼亚 州的相关法律，该公司43亿美元的损害赔偿将自动增加两倍，达到129亿美元。截至目前，海力士与美光科技对此报道未置可否。
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Rambus DRAM
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