- 据iSuppli公司，经济复苏已带动长期低迷的NOR闪存市场反弹，类似于整体内存市场的情形。
2009年第四季度总体NOR营业收入为12.3亿美元，比第三季度的12.2亿美元增长0.7%。
“这标志这个市场连续第三个季度实现环比增长。2009年第一季度形势非常糟糕，营业额下降到不足10亿美元，”iSuppli公司的资深内存与存储分析师Michael Yang表示，“第四季度NOR闪存营业收入受到来自多个消费产品领域的需求推动，包括液晶电视、手机和电脑。需
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Numonyx NOR 内存
- 据国外媒体报道，美国最大的电脑存储芯片制造商美光科技(Micron Technology)周二宣布，将斥资12.7亿美元收购闪存芯片制造商恒忆半导体(Numonyx Holdings BV)，借此增强其闪存芯片业务。
收购恒亿
美光科技科技在声明中表示，将向恒忆半导体的投资者——英特尔、意法半导体(STMicroelectronics)以及私募股权公司Francisco Partners——定向增发1.4亿股股票。除此之外，美光科技还会向恒忆
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美光 NOR Numonyx
- 32位MCU强势增长
从全球范围内的微控制器(MCU)的市场情况看(如图1)，08年出货量是119亿美元，到09年降低到86亿美元。从增长曲线看，32位微控制器在过去5年增长了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增长。从销售额来看，在2009年的前10个月里有7个月32位高过8位，到10月底时，32位总体下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。从数量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此从单位数量来说，32位下降较少，NXP(恩智浦)认为32位还是有比较强劲的增长势头，这
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MCU NAND NOR Android
- 存储器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半导体业中经常分成两类，DRAM及闪存类。由于其两大特征，能大量生产以及应用市场面宽，使其半导体业中有独特的地位。业界有人称它为半导体业的风向标。
纵观DRAM发展的历史，几乎每8至10年一次大循环，最终一定有大型的存储器厂退出，表示循环的结束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的东芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇梦达最先退出。奇梦达的退出使市场少了10万片的月产能。
在全球硅片尺寸转移中，存储器也是走在前列，如
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存储器 DRAM NAND NOR SRAM
- 为中芯解开多年无法突破的经营困境，而与台积电未来如能合作，将会是个双赢的局面。张汝京的下台，为台积电、中芯国际都找到下一个春天。
11月11日，台湾有四家报纸的头版头条报道了同一则新闻：中芯国际创办人、执行长张汝京宣布辞职;董事会即刻宣布由王宁国接任执行董事兼集团总裁、首席执行官。全世界最大的晶圆代工厂台积电入股中芯半导体10%的股份。
中芯将分5年赔偿台积电2亿美元，并且无偿授予台积电8%的中芯股权，且台积电另可在3年内以每股1.3港币的价格认购2%的中芯股权。
这件事情所以在台湾
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中芯国际 晶圆 NOR NAND
- 据台湾媒体报道，近期市场传出中芯国际将切割代管的成都厂及武汉厂等两地晶圆厂，而两座厂将可能由中芯前总裁张汝京出面统筹管理，张汝京等于找到了新舞台。
台湾媒体引述“内部人士”的话报道称，成都及武汉两地政府日前希望与中芯国际CEO王宁国见面，但王宁国未有正面回应，目前中芯切割两晶圆厂政策已是箭在弦上，成都市政府上周密会中芯前总裁张汝京，两地政府希望未来成都厂及武汉厂由张汝京出面统筹管理。
据报道，中芯在张汝京时代，曾与成都、武汉等两地方政府达成协议，成都市政府出资成立成
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中芯国际 晶圆 NOR NAND
- 市场研究机构水清木华日前发布“2009年手机内存行业研究报告”指出，NOR闪存在512Mb是个门槛。高于350Mb，NOR闪存的成本飞速增加。同时，NOR闪存的应用领域单一，应用厂家很少;而NAND闪存则容量越大，成本优势越明显，应用领域更广泛，应用厂家也多。手机市场变化迅速，现在每一款手机的生命周期通常都小于5年，NOR最强大的优势“长寿”也不复存在。尽管NOR闪存的成本在进入65纳米后也大幅度下降，但是专心NOR领域的只有Spansion。而NAND
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手机 NAND NOR
- 市场研究机构水清木华日前发布"2009年手机内存行业研究报告"指出,NOR闪存在512Mb是个门槛.高于350Mb,NOR闪存的成本飞速增加.同时,NOR闪存的应用领域单一,应用厂家很少;而NAND闪存则容量越大,成本优势越明显,应用领域更广泛,应用厂家也多.手机市场变化迅速,现在每一款手机的生命周期通常都小于5年,NOR最强大的优势"长寿"也不复存在.尽管NOR闪存的成本在进入65纳米后也大幅度下降,但是专心NOR领域的只有Spansion.而NAND领域,三
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三星 NAND NOR RAM
- 引 言
STM32是ST(意法半导体)公司推出的基于ARM内核Cortex－M3的32位微控制器系列。Cortex－M3内核是为低功耗和价格敏感的应用而专门设计的，具有突出的能效比和处理速度。通过采用Thumb－2高密度指令集，Cor
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Flash FSMC STM NOR
- 据来自ISMI Symposium的消息，NOR闪存制造商Spansion将出售其300mm工厂。
Spansion高层拒绝对这座名为SP1工厂的状态进行评论。“SP1是Spansion Japan的资产，目前正在对可能的重组方案进行评估。我们继续和Spansion Japan紧密合作，并通过我们内部和外部的资源，对客户的要求进行最大程度的支持。”Spansion在一份声明中表示。
2007年，Spansion启用业界首座300mm NOR闪存工厂。这座耗资12亿美
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闪存 NOR 300mm
- “2009年一定会有一些闪存或者DRAM厂商倒闭，产业链进一步整合是必然趋势，而剩下的闪存或DRAM厂商要想生存，就必需尽快寻找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR闪存厂商Spansion(飞索)公司企业营销总监John Nation抵京，他带来了Spansion最新的第二季度财务状况，以及公司为脱离破产保护而进行的战略调整。
Spansion是全球最大的NOR型闪存制造商，也是全球最大一家专门出品闪存的企业。
今年3月1日，Spansion公司宣布，根
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Spansion DRAM NOR
- 全球最大NOR闪存芯片供应商之一恒忆(Numonyx)宣布，该公司已于7月12日与上海外高桥保税区签署厂房租赁合同，正式投资落户上海。今天上午，恒忆总裁兼首席执行官Brian Harrison专程赴沪考察上海研发中心新址，并拜会了外高桥保税区管委会主任助理、功能区域党工委副书记、管委会副主任简大年等领导。双方代表齐聚一堂，共同见证了这一重要历史时刻。
恒忆正式成立于2008年3月，是由英特尔(Intel)和意法半导体(STMicroelectronics)以各自的闪存部门组成的合资企业，拥有技术
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Numonyx NOR NAND RAM PCM
- 2009年6月24日，恒忆(Numonyx)与三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布将共同开发制定相变存储器(Phase Change Memory，PCM)产品的市场规格，两大存储器厂商的携手再次印证了“商场上没有永远的对手”。
韩国三星电子称霸存储器行业已有多时，其DRAM市场近30%、闪存市场近40%的份额长期无可撼动。而恒忆作为存储器行业的新宠，其正式成立距今不过一年左右的时间。它的主要业务是整合NOR、NAND及内置RAM，并利
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Numonyx PCM DRAM RAM NOR
- 恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory，PCM) 产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求，从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统*、高级运算装置的制造商应对设计挑战。制定针对PCM 产品的通用软硬件兼容标准，将有效简化设计流程并缩短产品开发时间，使制造商能在短时间内采用这两家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存储产品。
相较于
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Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
- 6月24日消息,三星电子和Numonyx表示，双方将联合开发前途光明的下一代记忆体科技--相变化记忆体技术。
三星电子和Numonyx表示，双方将合作开发PCM的通用规范，该技术有望用于高级听筒、移动电话和电脑设备中。英特尔和意法半导体(STM去年合资组建了Numonyx.。三星电子和Numonyx称，PCM读写速度非常快，但耗电量却低于传统的NOR和NAND快闪记忆体。
三星电子和Numonyx还表示，双方的通用规范将于今年完成，预计明年将推出兼容设备。
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三星 NAND NOR PCM 相变化记忆体
nor介绍
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可 [
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